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公开(公告)号：CN1983514A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610100303.6
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90％高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1145215C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN98800930.7
申请日：1998-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/40 , B23K26/57 , B23K2103/172 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
Abstract: 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
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公开(公告)号：CN1448986A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03107595.9
申请日：2003-03-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L27/3255 , H01L2221/68322 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/75 , H01L2224/75263 , H01L2224/7598 , H01L2224/81001 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，通过在第1基板(11)上形成功能元件(12)，剥离包含一个以上的功能元件(12)的元件芯片13，向第2基板(14)上转印，取得元件芯片(13)上的第1焊盘(15)和第2基板上(14)上的第2焊盘(16)的导通而形成的半导体装置中，只在元件芯片(13)的第2基板(14)一侧的表面形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更远离第2基板(14)的一侧。或者，在元件芯片(13)的远离第2基板(14)一侧的表面只形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更靠第2基板(14)一侧。由此可增大第1焊盘(15)的面积或宽度。
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公开(公告)号：CN1199507A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法,包括:在所述基板上形成分离层的工序;在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序;通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序;将光照射到所述分离层上,在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序;以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
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