公开(公告)号：CN100394295C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510089401.X

申请日：2005-08-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  世良博

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法、薄膜半导体装置、其电光装置和其电子机器，无需增加制造工序，就能使电容元件的电介质膜的膜厚薄于TFT的栅极绝缘膜的膜厚。在TFT阵列基板(10)上构成积蓄电容(70)时，从抗蚀掩模(401)的开口(401a)向半导体膜(1a)的延伸部分(1f)中导入杂质，同时从该抗蚀掩模(401)的开口(401a)蚀刻电介质膜(2c)的表面。因此，无需增加制造工序，就能够使积蓄电容(70)的电介质膜(2c)的膜厚薄于(TFT30)的栅极绝缘膜(2a)的膜厚。

公开(公告)号：CN1755469A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510089401.X

申请日：2005-08-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  世良博

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法、薄膜半导体装置、其电光装置和其电子机器，无需增加制造工序，就能使电容元件的电介质膜的膜厚薄于TFT的栅极绝缘膜的膜厚。在TFT阵列基板(10)上构成积蓄电容(70)时，从抗蚀掩模(401)的开口(401a)向半导体膜(1a)的延伸部分(1f)中导入杂质，同时从该抗蚀掩模(401)的开口(401a)蚀刻电介质膜(2c)的表面。因此，无需增加制造工序，就能够使积蓄电容(70)的电介质膜(2c)的膜厚薄于(TFT30)的栅极绝缘膜(2a)的膜厚。

公开(公告)号：CN1391132A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02123021.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  藤川绅介 ,  小泽德郎

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/1309 ,  G02F1/13452

Abstract: 本发明的课题是，对用作液晶器件等的TFT阵列基板等的基板装置，在不剥离外接的IC的情况下进行其电学检测。基板装置包括基板，在其上制作的周边电路，在基板上布设的第1布线，外加于基板上的、具有第1端子且该第1端子与在第1布线上设置的连接用部分相连接的外接的IC。另外，还包括以穿过基板上的区域中的与外接的集成电路相向的部分的方式从连接用部分引出的第2布线，以及在基板上的区域中的与外接的集成电路不相向的部分中、在第2布线上设置的第1外部电路连接端子。经该外部电路连接端子可以进行外接的IC的检测。

公开(公告)号：CN105476643B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201510647221.2

申请日：2015-10-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  沟部公威 ,  笠原広和

IPC: A61B5/1455

Abstract: 本发明提供使得能够容易地指定适于取得生物体信息的目标部位的生物体信息取得装置。在生物体信息取得装置(10)中，传感器组件(50)对受检者(2)的生物体图像进行拍摄。触摸屏(16)具有形成为与测定区域(A13)大致相同的大小的显示区域(A11)，测定区域(A13)与传感器组件(50)对受检者(2)进行拍摄的拍摄范围一致，在该显示区域(A11)中与拍摄范围大致等倍地显示生物体图像。这些传感器组件(50)和触摸屏(16)的拍摄方向和显示方向相反，在俯视观察时，测定区域(A13)和显示区域(A11)层叠配置于大致相同的位置。

公开(公告)号：CN103685883B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310449958.4

申请日：2013-09-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 土屋仁 ,  江口司 ,  石黑英人

IPC: H04N5/225 ,  G02B3/00

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/3234

Abstract: 本发明提供摄像装置，充分地确保从被摄体到达受光元件的光量。在基板（32）的表面（321）上形成发光层（63）。与表面相对的多个透镜（24）聚集来自发光层照明的被摄体（200）的摄像光。在表面（321）与发光层间的第一电极层（61）形成对应各透镜的开口部（614）。由各透镜聚光并通过开口部的摄像光入射受光元件（14）。在规定通过受光元件的受光面（16）的周边上的点PA1和开口部（614）的周边上的点（PA2）的第一直线、和相对于第一直线与透镜的表面的交点（PA3）处的法线（LN）与第一直线（L1）呈线对称的第二直线（L2）的情况下，从第二直线与覆盖发光层的第二电极层（64）的表面的交点（PA4）观察，发光层的发光区域（70）位于光轴（L0）的相反侧。

公开(公告)号：CN105816185A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610019425.6

申请日：2016-01-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  石黑英人

IPC: A61B5/1455 ,  A61B5/00

Abstract: 本发明提供了SN比高且能够更加可靠地进行血管的位置的指定、血液信息的测量的信息取得设备。生物体信息取得设备(200)具备摄像装置(90)和导光板(60)，该摄像装置(90)具有平面配置且向人体(M)射出光的发光元件(43)、和平面配置且接收来自人体(M)的光的受光元件(12)，该导光板(60)层叠设置于摄像装置(90)的人体(M)侧并在受光元件(12)以及发光元件(43)的法线方向上具有透光性，导光板(60)具有平面配置且折射率相互不同的第一部分(孔(62))和第二部分(基板(61))，第一部分(孔(62))配置为俯视时与受光元件(12)重叠，第二部分(基板(61))配置为俯视时与发光元件(43)重叠。

公开(公告)号：CN102338949B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110341072.9

申请日：2008-05-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/13338

Abstract: 本发明涉及一种液晶装置及电子设备。本发明提供一种液晶装置，其中，PIN二极管(212)具备顺次层叠于绝缘膜(44)上的下电极(211a)、N半导体层(212b)、由多晶硅层构成的受光层(212c)、P型半导体层(212d)和上电极(212e)而构成。上电极(212e)构成形成在绝缘膜(47)上的导电膜(214)的一部分。即，PIN二极管(212)的上电极(212e)在TFT阵列基板(10)上，和绝缘膜(47)上形成的公共电极形成于同一层。因此，上电极(212e)可利用与形成公共电极的工序公共的工序形成，与利用分别独立的工序形成公共电极和上电极(212e)的情况相比，可以简化制造液晶装置的制造工艺。由此，例如，利用简便的制造工艺制造具有触摸面板功能的液晶装置。

公开(公告)号：CN101000921B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200610171101.0

申请日：2006-12-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石黑英人 ,  江口司

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01J29/30 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 一种显示装置，包括：设置于元件基板(2)上的有机绝缘膜(284)、形成于有机绝缘膜(284)的表面的反射膜(27)、和隔着无机绝缘膜(25)形成于反射膜(27)的表面的发光元件(3)，由多个发光元件(3G、3B、3R)排列配置而成，其中，反射膜(27)形成为在俯视状态下与多个发光元件(3G、3B、3R)重叠。由此，能够提供一种在反射膜(27)的端部处可抑制无机绝缘膜(25)产生裂缝的发光装置。

公开(公告)号：CN100539176C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610154376.3

申请日：2006-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫田崇 ,  江口司 ,  岩下贵弘

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L27/3213 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/524

Abstract: 像素电极(25)，由配置了多个所述发光区域的电极部(25a)、和与布线(12)连接的连接部(25b)构成，第一单位元件(Ur)的像素电极(25)，层叠有与电极部(25a)以及连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成，第二单位元件(Ug)的像素电极(25)层叠有与电极部(25a)对应的电极层(52)、(53)、和与连接部(25b)对应的电极层(51)、(52)、(53)而形成，成为第二单位元件(Ug)的电极部(25a)中的电极层的层叠数比第一单位元件(Ur)的电极部(25a)中的电极层的层叠数更少的发光装置。由此提供一种得到稳定的电特性的发光装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN100451787C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510106361.5

申请日：2005-09-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 江口司 ,  世良博

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供对于在同一基板上形成的TFT和电容元件，可以确保高的耐电压的同时可以提高电容元件的静电电容的薄膜半导体装置、电光学装置和电子仪器。在TFT阵列基板(10)中，由于电介质膜(2c)在第1区域(1c)的外侧区域备有比第1区域(201c)膜厚更厚的第2区域(202c)，所以存储电容(70)的耐电压高。从而，电容元件(70)可以得到高的耐电压，同时可以将为增高耐电压而增厚电介质膜(2c)的膜厚导致的静电电容的降低限制在最小限度内。这样，对于在同一基板上形成的TFT(30)和电容元件(70)，可以确保高的耐电压，同时可以提高电容元件(70)的静电电容。