公开(公告)号：CN1426585A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN01808693.4

申请日：2001-12-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/5657 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507

Abstract: 强电介质存储器装置包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列。通过对强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压(例如，Vs、－Vc、－Vs)，可以有选择地把3值(例如，Pr(0)、P1(1)、－Pr(2))以上的数据存储到该强电介质电容器中。

公开(公告)号：CN1426584A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN01808429.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 强电介质存储装置(1000)，由在所述第一信号电极(12)与所述第二信号电极(16)交叉的区域形成的强电介质电容器构成的存储单元(20)排列而成。通过在存储单元(20)上的第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间施加写入电压，对被选择存储单元(20)进行信息写入。通过在存储单元上的第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间施加读出电压，对被选择存储单元(20)进行信息读出。当所述写入电压为±Vs，所述读出电压为+Vs或－Vs时，|Vs|低于所述强电介质电容器残留极化饱和时的饱和电压的绝对值。

公开(公告)号：CN1393037A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。