公开(公告)号：CN1574287A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410039795.3

申请日：2000-06-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  西川尚男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。

公开(公告)号：CN1124501C

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN97191531.8

申请日：1997-10-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西川尚男 ,  木口浩史 ,  高桑敦司 ,  小岛胜

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/223 ,  B41J2202/09 ,  G02B5/201

Abstract: 本发明目的是提供一种顺利制造滤色片的方法。包括：大气压下于含有氧的气体气氛中产生放电，利用活性粒子处理基板(10)的工序；以及向母盘(13)上形成的规定排列的油墨充填用凹部(29)中充填预先设定颜色的油墨，形成着色图案层(14)，进而利用树脂层(15)将基板(10)粘接在形成有着色图案层(14)的母盘(13)上之后，使着色图案层(14)、树脂层(15)和基板(10)整体从母盘(10)剥离的工序。

公开(公告)号：CN1269018A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN99800721.8

申请日：1999-05-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西川尚男

IPC: G02B3/00

CPC classification number: G02B3/0031

Abstract: 一种微透镜阵列基片的制造方法,包括以下步骤:形成基片(32)的步骤,所述基片具有带多个曲面部(12)的第1原板(10),和带多个凸部(22)的第2原板(20),和在它们之间紧贴基片前身(30),由所述曲面部(12)形成的多个透镜(34),和由凸部(22)形成的多个凹部(36);从所述基片(32)剥离所述第1以及第2原板(10、20)的步骤;至少在剥离所述第2原板(20)之后,在所述凹部(36)填充遮光材料的步骤。

公开(公告)号：CN100340137C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN00803264.5

申请日：2000-09-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 下田达也 ,  西川尚男

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  G09F9/40 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3293 ,  G09F9/313 ,  H01L27/3244

Abstract: 通过将TFT层(22)的电路部(22C)退到相邻的EL显示体(14)的背面侧，能够使相邻的EL显示体(14)的周端的象素之间的间隔为10μm，使4个EL显示体(14)从外观上看为一体，能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时，能够维持TFT的象素部的象素间距。

公开(公告)号：CN1246905C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中，以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有：第1信号电极(12)；在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16)；以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外，也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

公开(公告)号：CN1652325A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510052587.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。

公开(公告)号：CN1388990A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802501.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  长谷川和正 ,  小口幸一 ,  西川尚男 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。

公开(公告)号：CN1220760A

公开(公告)日：1999-06-23

申请号：CN98800300.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 高桑敦司 ,  西川尚男 ,  根桥聪

IPC: G11B7/26

CPC classification number: B29D17/005 ,  G11B7/263

Abstract: 一种生产性良好地制造具有小偏芯量和高记录密度的信息记录载体的制造方法,该方法包括把固化性树脂涂敷在带有对应于必要信息的图形的母盘(1)上,并在母盘(1)的表面上形成突起物(2)、孔、凹陷等,使其与信息记录载体基片嵌合,以便通过粘接母盘与信息记录载体基片,把母盘上的图形复制到信息记录载体的基片上。

公开(公告)号：CN1216425C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种强电介质存储装置，包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其特征在于：上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中，在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层，上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中，该表面修饰层的表面。

公开(公告)号：CN1577913A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062352.6

申请日：2004-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西川尚男 ,  下田达也 ,  岩佐义宏 ,  竹延大志 ,  小林慎一郎 ,  三谷忠兴

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

Abstract: 本发明公开了一种即使不改变形成有机半导体薄膜的材料，也能够容易地控制阈值电压的有机薄膜晶体管及其制造方法。该有机薄膜晶体管包括栅电极(12)、栅极绝缘膜(14)、源电极(16)、漏电极(18)和有机半导体膜(20)，其中，在栅极绝缘膜(14)和有机半导体薄膜(20)之间具有阈值电压控制膜(22)。