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公开(公告)号：CN1216425C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN01802788.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种强电介质存储装置，包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其特征在于：上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中，在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层，上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中，该表面修饰层的表面。
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公开(公告)号：CN1629709A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410100036.3
申请日：2000-01-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/20 , B06B1/0688 , G02F1/167 , G09G3/344 , G09G3/3493 , G09G2300/08 , H01L41/107 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331
Abstract: 在衬底11上按顺序层叠第一电极层12、第一压电薄膜层13、第二电极层14、第二压电薄膜层15和第三电极层16；限制这些层在厚度方向不扩大或缩小，构成压电变换器。形成多条栅极线201和202、多条数据线203和204和薄膜晶体管205和207；上述薄膜晶体管的一个源－漏与上述数据线连接，另一个源－漏与薄膜压电变换器208至210的输入侧连接；上述薄膜压电变换器的输出侧与电泳油墨显示元件的电极连接；从而构成电泳油墨显示装置。
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公开(公告)号：CN1246905C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN01802501.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L28/55 , G11C11/22 , H01L27/101
Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中，以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有：第1信号电极(12)；在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16)；以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外，也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。
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公开(公告)号：CN1652325A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510052587.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。
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公开(公告)号：CN1426602A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN01808428.1
申请日：2001-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/101 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 强电介质存储装置中，设有简单矩阵型存储单元阵列。设第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间所加电压的绝对值的最大值为Vs，则由第一电极(12)、第二电极(16)以及强电介质层(14)构成的强电介质电容器(20)的极化值(P)满足以下关系：当施加电压从+Vs设为－1/3Vs时，0.1P(+Vs)＜P(－1/3Vs)；当施加电压从－Vs设于+1/3Vs时，0.1P(－Vs)＞P(+1/3Vs)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1388990A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01802501.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L28/55 , G11C11/22 , H01L27/101
Abstract: 本发明涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形,能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法,以及强电介质存储装置。存储单元阵列(100A)中,以矩阵状排列了由强电介质电容器(20)构成的存储单元。强电介质电容器(20)具有:第1信号电极(12);在与第1信号电极(12)交叉的方向上排列的第2信号电极(16);以及沿着第1信号电极(12)或者第2信号电极(16)以直线状配置了的强电介质层(14)。另外,也可以仅在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中以块状配置强电介质层(14)。
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公开(公告)号：CN100346222C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410100036.3
申请日：2000-01-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/20 , B06B1/0688 , G02F1/167 , G09G3/344 , G09G3/3493 , G09G2300/08 , H01L41/107 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331
Abstract: 在衬底(11)上按顺序层叠第一电极层(12)、第一压电薄膜层(13)、第二电极层(14)、第二压电薄膜层(15)和第三电极层(16)；限制这些层在厚度方向不扩大或缩小，构成压电传感器。形成多条栅极线(201)和(202)、多条数据线(203)和(204)和薄膜晶体管(205)和(207)；上述薄膜晶体管的一个源-漏与上述数据线连接，另一个源-漏与薄膜压电传感器(208)至(210)的输入侧连接；上述薄膜压电传感器的输出侧与电泳油墨显示元件的电极连接；从而构成电泳油墨显示装置。
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公开(公告)号：CN1612349A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410089671.6
申请日：2004-10-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/22 , H01L21/8221 , H01L27/0688
Abstract: 本发明提供一种高质量的交差点型强电介质存储器。该交差点型强电介质存储器(100)，将第1存储器单元阵列(30)与第2存储器单元阵列(60)，通过介入第1层间绝缘层(20)与第2层间绝缘层(50)而层叠。第1存储器单元阵列(30)包括：形成为条纹状的下部电极36；在与下部电极(36)交叉的方向上形成为条纹状的上部电极(38)；配置在上部电极(36)与下部电极(38)的至少交叉部分中的强电介质电容器34；和形成在强电介质电容器(34)之间的嵌入式绝缘层(32)。第1层间绝缘层(20)，在第1绝缘层(24)与第2绝缘层(26)之间具有导电层(22)。
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公开(公告)号：CN100352039C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510052587.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。
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公开(公告)号：CN1307645C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN01808693.4
申请日：2001-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 长谷川和正
CPC classification number: G11C11/5657 , G11C11/22 , H01L27/11507
Abstract: 强电介质存储器装置包含把至少具有强电介质电容器的多个存储单元排列起来而形成的存储单元阵列。通过对强电介质电容器施加用于设定3个以上极化状态的3个以上不同电压(例如，Vs、-Vc、-Vs)，可以有选择地把3值(例如，Pr(0)、P1(1)、-Pr(2))以上的数据存储到该强电介质电容器中。
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