公开(公告)号：CN101615658A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910148635.5

申请日：2009-06-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 肥后智之 ,  松尾圭介

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L21/82 ,  H01L27/32

CPC classification number: C23C14/048

Abstract: 本发明提供了在形成发光层时使用的供体基板，还提供了使用该供体基板制造显示器的方法，所述发光层是通过如下步骤形成的：形成含有发光材料的转印层；使所述转印层和被转印基板相互面对且将辐射线照射至所述转印层；并且使所述转印层升华或气化从而将所述转印层转印至所述被转印基板上。所述供体基板包括：基体；布置在所述基体上的光热转换层；以及布置在所述基体与所述光热转换层之间的热干涉层，所述热干涉层包括折射系数彼此不同的两个以上层。本发明能够通过调整所述热干涉层的折射系数(材料)和厚度，使宽波长范围内的吸收率提高。

公开(公告)号：CN100551177C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610121207.X

申请日：2006-08-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中山彻生 ,  芝崎孝宜 ,  小泽信夫 ,  松田英介 ,  平野贵之 ,  石桥义 ,  塘洋一 ,  松尾圭介

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制作方法，该方法可高精度地一并除去辅助配线上的上的有机层，由此能够实现合格率的提高和生产性的提高，从而得到上述具有有机电致发光元件的显示装置。其中，在基板(2)之上的各像素(a)上构图形成下部电极(4)。在各像素间形成辅助配线(N)，该配线的结构是具有由比下部电极光吸收率高的导电性材料构成的光吸收层(9)。在形成有下部电极和辅助配线的基板是以覆盖下部电极的状态形成有机层(5)。通过来自有机层侧的激光的照射，使在有机层的下部露出的光吸收层与激光进行热交换，选择性地除去光吸收层的上部的有机层。在基板上形成上部电极(6)，其与下部电极之间隔着有机层，并在有机层被除去的光吸收层部分与辅助配线连接。

公开(公告)号：CN100531483C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610145774.9

申请日：2006-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松尾圭介

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种包括经由光吸收层的支撑衬底上的转移材料层的转移衬底。在支撑衬底和光吸收层之间提供有用于防止支撑衬底和光吸收层的界面处的光反射的抗反射图样。该抗反射图样的厚度被设为这样一个值，利用该值，在光吸收层中吸收的具有预定波长的光的吸收比得以最大化。

公开(公告)号：CN1972540A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610145774.9

申请日：2006-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松尾圭介

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种包括经由光吸收层的支撑衬底上的转移材料层的转移衬底。在支撑衬底和光吸收层之间提供有用于防止支撑衬底和光吸收层的界面处的光反射的抗反射图样。该抗反射图样的厚度被设为这样一个值，利用该值，在光吸收层中吸收的具有预定波长的光的吸收比得以最大化。