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公开(公告)号：CN101451273A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196651.2
申请日：2007-11-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 梶浦尚志 , 李勇明 , 魏大程 , 刘云圻 , 曹灵超 , 付磊 , 李祥龙 , 王钰 , 朱道本
IPC: C30B33/08 , C01B31/02
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管(SWNT)的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件。在该选择性处理SWNT的方法中，使用SWNT为阳极，施加刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对SWNT进行电化学刻蚀。
