公开(公告)号：CN101041427B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200610065567.2

申请日：2006-03-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  付磊 ,  刘云圻

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。

公开(公告)号：CN101450799A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196655.0

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  魏大程 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  付磊 ,  李祥龙 ,  王钰 ,  朱道本

IPC: C01B31/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62

Abstract: 一种制备掺氮碳纳米管的石墨电弧放电方法、掺氮碳纳米管以及使用其的碳纳米管元件。在该制备掺氮碳纳米管的电弧放电方法中，使用包括石墨、催化剂和作为氮源的含氮有机化合物的混合物制备阳极，并且使用该阳极和一阴极进行电弧放电以制备该掺氮碳纳米管。

公开(公告)号：CN101041427A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610065567.2

申请日：2006-03-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  付磊 ,  刘云圻

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。

公开(公告)号：CN101462713A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710159924.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  李祥龙 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  付磊 ,  魏大程 ,  王钰 ,  朱道本

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  H01M4/9083 ,  Y10S977/845

Abstract: 本发明披露一种处理碳纳米管的方法，包括如下的步骤：将碳纳米管分散在分散介质中，制备分散体；将所述分散体与吸附剂混合，以使所述分散体中特定类型或特性的碳纳米管吸附在所述吸附剂上，其中所述吸附剂经化学/生物改性剂改性而对不同类型或特性的碳纳米管具有不同的选择吸附性；以及将吸附剂与分散体分离，由此使得吸附在所述吸附剂上的特定类型或特性的碳纳米管与富集在分散体中其它类型或特性的碳纳米管分离。本发明还披露了经该方法处理的碳纳米管以及碳纳米管器件。

公开(公告)号：CN101007631A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610002907.7

申请日：2006-01-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 王钰 ,  付磊 ,  刘云圻 ,  梶浦尚志

IPC: C01B31/02

Abstract: 提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。通过将在化学气相沉积装置的反应部位的外部利用自然蒸发等来气化醇或醇的水溶液而得到的气体导入该反应部位来进行反应。醇的水溶液中醇浓度范围为50％～95％。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。

公开(公告)号：CN101450798A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196652.7

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  付磊 ,  刘云圻 ,  李祥龙 ,  曹灵超 ,  魏大程 ,  王钰 ,  于贵

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 一种处理碳纳米管的方法、由此得到的碳纳米管以及使用该碳纳米管制备的元件。该处理碳纳米管的方法使用含羟基自由基(HO.)的水溶液对碳纳米管进行处理。

公开(公告)号：CN101451273A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196651.2

申请日：2007-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梶浦尚志 ,  李勇明 ,  魏大程 ,  刘云圻 ,  曹灵超 ,  付磊 ,  李祥龙 ,  王钰 ,  朱道本

IPC: C30B33/08 ,  C01B31/02

Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管(SWNT)的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件。在该选择性处理SWNT的方法中，使用SWNT为阳极，施加刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对SWNT进行电化学刻蚀。