公开(公告)号：CN101145600B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200710163092.5

申请日：2004-03-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  石田实

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。

公开(公告)号：CN1664957A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510052645.0

申请日：2005-03-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 石田实 ,  荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: G11C11/409 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。