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公开(公告)号：CN100394511C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
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公开(公告)号：CN100378998C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200480000388.X
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
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公开(公告)号：CN1697081A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN1152169A
公开(公告)日：1997-06-18
申请号：CN96111259.X
申请日：1996-08-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 本发明提供一种多层光盘，其中，第一和第二信息存储层在一基片上顺序地成膜，记录在第一和第二信息存储层的信息通过由基片一侧照射的读取光被再现，第一和第二信息存储层可通过第一读取光和波长小于第一读取光的第二读取光再现，并且第一信息存储层由这样的材料制成，其折射率n和衰减系数k在第一读取光波长区域满足下列条件：0≤k≤0.25，n＝α-k+2.8(这里α为一常数且0.15≤α≤0.45)。
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公开(公告)号：CN1722302B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881466B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610106195.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。
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公开(公告)号：CN100468571C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510052645.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。
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公开(公告)号：CN1327415C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN03800858.0
申请日：2003-04-22
Applicant: 索尼株式会社 , 索尼磁碟科技股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B20/10 , G11B20/12
CPC classification number: G11B7/00455 , G11B7/00736 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B20/10
Abstract: 一种通过采用了一种结构可以低成本制造的光记录介质和一种相应于一再现专用光记录介质结构的制造方法。这种光记录介质能够附加地记录诸如密码、标记等之类其它新的信息，能够可靠地对它们加以记录，并且拥有令人满意的特性。光记录介质(S)包括有一信息层(2)，信息层(2)包括一反射膜(3)，其中通过至少沿厚度方向或轨道宽度方向的物理形状的变化形成一信息记录部分。反射膜由具有不小于20μΩ.cm和不大于90μΩ.cm的电阻率的Al合金或Cu合金形成，能够通过热记录把信息附加地记录在反射膜(3)上。
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公开(公告)号：CN1901089A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610121391.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: H01L27/2472 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。
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公开(公告)号：CN1881466A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106195.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。
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