-
公开(公告)号：CN100394511C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
-
公开(公告)号：CN100378998C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200480000388.X
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
-
公开(公告)号：CN100590506C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610056975.1
申请日：2006-03-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03B15/03 , H04N5/2352
Abstract: 一种成像设备，包括：成像元件，用于通过快门打开将入射光聚焦到光接收元件上，以生成图像数据：闪光灯，用于向成像单元的成像方向发出闪光；控制器，用于控制成像元件以便连续多次打开快门，并且控制闪光灯以便在多个打开定时之中的第二次和随后的打开定时上发出闪光；以及图像处理器，用于基于由成像元件通过在闪光灯不发出闪光时的打开定时上成像所生成的图像数据以及由成像元件通过在闪光灯发出闪光时的打开定时上成像所生成的图像数据来生成新的图像数据。
-
公开(公告)号：CN1655358A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化－还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
-
公开(公告)号：CN1574094A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468808C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化-还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
-
公开(公告)号：CN101145600A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710163092.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
-
公开(公告)号：CN1698203A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000388.X
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
-
公开(公告)号：CN100468571C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510052645.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。
-
公开(公告)号：CN1831624A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610056975.1
申请日：2006-03-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G03B15/03 , H04N5/2352
Abstract: 一种成像设备，包括：成像元件，用于通过快门打开将入射光聚焦到光接收元件上，以生成图像数据：闪光灯，用于向成像单元的成像方向发出闪光；控制器，用于控制成像元件以便连续多次打开快门，并且控制闪光灯以便在多个打开定时之中的第二次和随后的打开定时上发出闪光；以及图像处理器，用于基于由成像元件通过在闪光灯不发出闪光时的打开定时上成像所生成的图像数据以及由成像元件通过在闪光灯发出闪光时的打开定时上成像所生成的图像数据来生成新的图像数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.025 seconds)
