公开(公告)号：CN101038938A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710103568.6

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源区域；其中连续的晶界在有源区域与栅电极交叠的沟道部分中沿栅电极延伸，并且晶界横穿过沟道部分和在沟道长度方向循环地被提供。

公开(公告)号：CN101038868A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710103569.0

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤野敏夫 ,  町田晓夫 ,  河野正洋

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明公开了一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中，半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用能量束的扫描使处于能量束的中心位置的半导体薄膜最后结晶。