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公开(公告)号：CN119342954A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411844952.1
申请日：2024-12-16
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H10H20/815 , H10H20/812 , H10H20/824 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供一种应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法，应变有源层包括：沿第一方向层叠的第一组合势垒层、量子阱层和第二组合势垒层，量子阱层的材料为Inb（Ga1‑aAla）1‑bAs，b大于或等于0.1；第一组合势垒层包括沿第一方向层叠的第一势垒层和第二势垒层，第二势垒层位于所述第一势垒层的两侧，第二势垒层的能带带隙大于量子阱层的能带带隙且小于或等于第一势垒层的能带带隙；第二组合势垒层包括沿第一方向层叠的第三势垒层和第四势垒层，第四势垒层位于所述第三势垒层的两侧，第四势垒层的能带带隙大于量子阱层的能带带隙且小于或等于第三势垒层的能带带隙。
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公开(公告)号：CN119340781A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411884880.3
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/024 , H01S5/028 , H01S5/02355 , H01B17/56
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，半导体封装结构包括：第一热沉；巴条；第二热沉，第二热沉包括：绝缘导热层；第一导电层和第二导电层；第一焊接层；第一绝缘层；第一电极片；第二绝缘层；第二电极片。所述半导体封装结构的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN112775517B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011596929.7
申请日：2020-12-28
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体涉及一种回流装置，包括底座，所述底座上设有支撑结构，待焊接件设于所述底座上；盖板，可拆卸地设置在所述支撑结构上，所述盖板具有多个贯穿部，所述贯穿部内设有压针组件，所述压针组件具有悬空状态和与所述待焊接件接触的焊接状态。该回流装置，在对壳体和热沉定位后，操作者可同时控制对个压针组件，并驱动压针组件对待焊接件进行焊接，避免了操作者需要对热沉进行单独焊接，从而降低了焊接时间，提高了工作效率，同时也减小了人工成本。
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公开(公告)号：CN116316047B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310553996.8
申请日：2023-05-17
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明提供一种高可靠性半导体封装结构及其制备方法，高可靠性半导体封装结构包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片；连接所述热沉和所述半导体激光器芯片的焊接结构，所述焊接结构包括主焊接层和若干合金块，所述主焊接层包围合金块，各合金块周围的主焊接层连接在一起，所述主焊接层的硬度小于所述合金块的硬度。所述高可靠性半导体封装结构兼顾缓解封装应力、可靠性高和寿命长。
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公开(公告)号：CN113682627B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110982571.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种储存装置，包括：储存盒，所述储存盒包括：储存基板；位于所述储存基板的上表面的多个间隔的限位件，多个所述限位件呈阵列排布，每个所述限位件包括第一子限位件和第二子限位件，所述第一子限位件和所述第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个所述限位件围成多个限位槽，所述限位槽适于容纳半导体激光器件。半导体激光器件在储存装置中的定位更加精确，有利于自动化设备对半导体激光器件的取放、位置记录和追踪；由于限位件是间隔的，在限位件的间隙处不会触碰半导体激光器件侧部的敏感器件区，有利于保护半导体激光器件在运输过程中不被损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112965180B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110188130.2
申请日：2021-02-10
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种集合耦合、NA控制及检测的NA耦合装置及方法，NA耦合装置包括底板，在底板上，设置有:载物台，垂直设于底板上，用于放置待耦合激光器；功率检测器，垂直设于底板上，设置在载物台的一侧，用于检测载物台上的待耦合激光器的功率；NA控制结构，垂直设置于底板上，设置于载物台与功率检测器之间，用于对待耦合激光器的输出光束附加光阑；位置调整装置，垂直设置于底板上，用于调整待耦合激光器的位置，以根据功率确定待耦合激光器的位置，本方案，集和耦合、NA控制、待耦合激光器的NA检测于一体，节省了空间，实现上述功能可在一台机器上完成，无需更换装置，提高了耦合激光器生产作业效率。
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公开(公告)号：CN113866613B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111447251.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L43/06
Abstract: 本发明提供一种用于霍尔效应测试的测试结构及其制备方法，测试结构包括：衬底层；位于所述衬底层上的测试外延层；位于所述测试外延层背向所述衬底层一侧表面的若干间隔的接触半导体层，所述接触半导体层中具有掺杂离子；位于部分所述接触半导体层背向所述测试外延层的一侧表面的测试电极。接触半导体层更容易形成欧姆接触，有利于注入电流，相邻的接触半导体层之间横向没有导通，不会造成测试外延层被接触半导体层短路，保证电路路径能满足霍尔效应测试，接触半导体层中的耗尽情况不会对下方的测试外延层造成影响，从而提高了测试结构的测试灵敏度。
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公开(公告)号：CN113872049A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111472150.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明提供一种模式控制半导体器件及其制备方法，模式控制半导体器件具有相对设置的前腔面和后腔面，模式控制半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；第一限制层和第二限制层，位于半导体衬底层上且分别位于有源层的两侧；位于第一限制层和有源层之间的第一波导层；位于第二限制层和有源层之间的第二波导层，第二波导层的厚度小于或等于第一波导层的厚度；第一调光层，第一调光层位于与前腔面邻接的部分第二限制层中，第一调光层的折射率小于第二限制层的折射率，第一调光层的宽度在自后腔面至前腔面的方向上递增。所述模式控制半导体器件提升前腔面抗光学灾变损伤阈值功率的同时降低耦合损耗、生产工艺复杂度和成本。
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公开(公告)号：CN110702384B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911057204.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及激光器特性测试领域，具体涉及一种激光器近场测试方法及测试系统，其中，方法包括：获取驱动电源的频率；其中，所述驱动电源用于驱动被测激光器发光；利用所述驱动电源的频率确定采集频率；接收所述被测激光器在目标点的近场光强数据；其中，所述近场光强数据是基于所述采集频率所采集到的；根据所述近场光强数据，计算所述被测激光器在所述目标点的光强。该方法可以保证待测激光器输出周期与采样周期一致且采样时激光器处于输出状态，从而保证了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN119834061A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510329278.1
申请日：2025-03-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法，高功率高效率单模半导体发光结构包括：沿第一方向排布的第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜的反射率大于第二布拉格反射镜的反射率；位于第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜之间沿第一方向排布的多个有源层、以及电流限制层；电流限制层包括出光区和环绕出光区的氧化区；隧道结，位于相邻的有源层之间；调制层，位于第二布拉格反射镜背离有源层的一侧，调制层包括第一微结构区和环绕第一微结构区的第二微结构区，其中，第一微结构区沿第一方向在出光区的第一部分上具有投影，第二微结构区沿第一方向在出光区的第二部分上具有投影，第二部分环绕第一部分。
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