公开(公告)号：CN105891577B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201610090465.X

申请日：2016-02-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.齐默

IPC: G01R17/10

Abstract: 本发明涉及偏移电压补偿。电桥偏移电压补偿方法以及具有电桥电路和隧道磁阻（TMR）电阻器级联的电路。电桥电路包括分支电路。TMR电阻器级联与分支电路串联耦合，并且被配置为提供用于补偿电桥电路的电桥偏移电压的电阻。

公开(公告)号：CN105675026B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510893567.0

申请日：2015-12-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.齐默

IPC: G01D5/16 ,  G01P3/42 ,  G01R27/02

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/096 ,  G01R33/098

Abstract: 在磁阻传感器中磁化的软切换。一种磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的条带部分。所述条带部分可以具有：沿着第一轴从所述条带部分的第一条带边缘延伸到所述条带部分的第二条带边缘的条带宽度，沿着基本上与所述第一轴垂直的第二轴的长度，第一末端，以及第二末端。所述第一末端和第二末端可以沿着所述第二轴定位在所述条带部分的相对末端。所述磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的延伸部分。所述延伸部分可以定位在所述条带部分的第一末端处，并且可以具有沿着第一轴的延伸宽度。所述延伸宽度可以大于所述条带宽度，从而所述延伸部分延伸超过第一条带边缘和第二条带边缘。

公开(公告)号：CN105891577A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610090465.X

申请日：2016-02-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.齐默

IPC: G01R17/10

CPC classification number: G01R33/0017 ,  G01R33/098 ,  G01R17/105

Abstract: 本发明涉及偏移电压补偿。电桥偏移电压补偿方法以及具有电桥电路和隧道磁阻（TMR）电阻器级联的电路。电桥电路包括分支电路。TMR电阻器级联与分支电路串联耦合，并且被配置为提供用于补偿电桥电路的电桥偏移电压的电阻。

公开(公告)号：CN102538659A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110367746.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.齐默

IPC: G01B7/30

CPC classification number: G01R33/096 ,  B82Y25/00 ,  G01B7/30 ,  G01D5/145 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明涉及XMR角度传感器。实施例涉及XMR传感器、传感器元件和结构、以及方法。在一个实施例中，传感器元件包括非细长XMR结构；以及在XMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在XMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。