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公开(公告)号：CN107063310A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610963919.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/14 , G01R33/022 , G01B7/30
Abstract: 本发明涉及具有提高的准确性的冗余磁角度传感器。一种角度传感器可包括第一主感测元件和第二主感测元件。第一主感测元件可在相对于磁体的面基本上平行的平面中被安置为与第二主感测元件相邻。所述角度传感器可包括第一辅助感测元件和第二辅助感测元件。第一主感测元件和第二主感测元件可在相对于磁体的面基本上平行的平面中被安置在第一辅助感测元件和第二辅助感测元件之间。
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公开(公告)号：CN107063310B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201610963919.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/14 , G01R33/022 , G01B7/30
Abstract: 本发明涉及具有提高的准确性的冗余磁角度传感器。一种角度传感器可包括第一主感测元件和第二主感测元件。第一主感测元件可在相对于磁体的面基本上平行的平面中被安置为与第二主感测元件相邻。所述角度传感器可包括第一辅助感测元件和第二辅助感测元件。第一主感测元件和第二主感测元件可在相对于磁体的面基本上平行的平面中被安置在第一辅助感测元件和第二辅助感测元件之间。
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公开(公告)号：CN102539814B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201110320318.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01P3/44
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和/或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。
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公开(公告)号：CN105425177B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201610030056.0
申请日：2011-10-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和/或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。
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公开(公告)号：CN102538659B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201110367746.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J.齐默
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01R33/096 , B82Y25/00 , G01B7/30 , G01D5/145 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/08 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明涉及XMR角度传感器。实施例涉及xMR传感器、传感器元件和结构、以及方法。在一个实施例中，传感器元件包括非细长xMR结构；以及在xMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在xMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105716632A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510975305.9
申请日：2015-12-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/12
CPC classification number: G01D5/16 , G01D3/08 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01D5/12
Abstract: 本发明涉及传感器电路、传感器装置以及用于形成传感器电路的方法。传感器电路包含多个半桥传感器电路。传感器电路包含被配置为确定传感器输出值的传感器输出值确定电路。传感器电路进一步包含被配置为基于第一半桥传感器信号和第二半桥传感器信号来产生误差信号的误差确定电路。传感器电路进一步包含控制电路，所述控制电路被配置为控制第一半桥传感器电路和第二半桥传感器电路之一的选择用于将第一半桥传感器信号和第二半桥传感器信号之一提供给所述传感器输出值确定电路以确定传感器输出值。
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公开(公告)号：CN105716632B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201510975305.9
申请日：2015-12-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明涉及传感器电路、传感器装置以及用于形成传感器电路的方法。传感器电路包含多个半桥传感器电路。传感器电路包含被配置为确定传感器输出值的传感器输出值确定电路。传感器电路进一步包含被配置为基于第一半桥传感器信号和第二半桥传感器信号来产生误差信号的误差确定电路。传感器电路进一步包含控制电路，所述控制电路被配置为控制第一半桥传感器电路和第二半桥传感器电路之一的选择用于将第一半桥传感器信号和第二半桥传感器信号之一提供给所述传感器输出值确定电路以确定传感器输出值。
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公开(公告)号：CN105675026A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510893567.0
申请日：2015-12-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J.齐默
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/096 , G01R33/098 , G01D5/16 , G01P3/42 , G01R27/02
Abstract: 在磁阻传感器中磁化的软切换。一种磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的条带部分。所述条带部分可以具有：沿着第一轴从所述条带部分的第一条带边缘延伸到所述条带部分的第二条带边缘的条带宽度，沿着基本上与所述第一轴垂直的第二轴的长度，第一末端，以及第二末端。所述第一末端和第二末端可以沿着所述第二轴定位在所述条带部分的相对末端。所述磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的延伸部分。所述延伸部分可以定位在所述条带部分的第一末端处，并且可以具有沿着第一轴的延伸宽度。所述延伸宽度可以大于所述条带宽度，从而所述延伸部分延伸超过第一条带边缘和第二条带边缘。
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公开(公告)号：CN105425177A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610030056.0
申请日：2011-10-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和/或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。
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公开(公告)号：CN102539814A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110320318.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01P3/44
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及具有减小的不连续性的xMR传感器。实施例涉及xMR传感器和xMR传感器内的xMR条的配置，该xMR传感器包括巨磁阻（GMR）、隧道磁阻（TMR）或各向异性磁阻（AMR）。在实施例中，xMR条包括多个不同大小和/或不同取向的、串联连接的部分。在另一实施例中，xMR条包括变化的宽度或其它特性。这样的配置可以解决与传统xMR传感器相关联的不连续性并且提高xMR传感器性能。
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