公开(公告)号：CN109655767A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811190895.4

申请日：2018-10-12

Applicant: 迈来芯科技有限公司

Inventor： J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/04 ,  G01R33/10 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01D5/16 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/04 ,  G01R33/07 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G01R33/10

Abstract: 本发明提供了一种集成磁结构。本发明描述了一种包括集成在平面基底上的至少三个磁通集中器部分的磁传感器，其中，每部分与其他部分中的至少之一相邻，并被间隙分隔开。该磁传感器至少包括第一感测元件并至少包括第二感测元件，其中，第一感测元件定位为用于感测第一部分与第二部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度，第二感测元件定位为用于感测第一部分与至少另一部分之间的间隙内或该间隙附近的磁通密度。该磁传感器进一步包括进一步的感测元件，布置成用于测量与基底垂直的方向上的磁场的变化。

公开(公告)号：CN106098083B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610283732.5

申请日：2016-04-29

Applicant: HGST荷兰公司

Inventor： Z.高 ,  S.吴

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G01R33/098 ,  G11B5/33 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。

公开(公告)号：CN105022006B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510205181.6

申请日：2015-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·拉伯格

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/098

Abstract: 公开了磁场传感器设备和相关联的方法。在一些实施方式中，例如在第一磁场传感器的桥部分之间提供第二磁场传感器。

公开(公告)号：CN108226822A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711321229.5

申请日：2017-12-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·拉伯格

IPC: G01R33/09 ,  G01D5/14 ,  H01L43/08

CPC classification number: G01R33/098

Abstract: 本公开涉及磁性传感器电路和系统及用于形成磁性传感器电路的方法。例如，一种传感器电路包括第一磁阻器。第一磁阻器具有第一电阻传递函数。此外，传感器电路包括第二磁阻器。第二磁阻器具有第二电阻传递函数。第二电阻传递函数不同于第一电阻传递函数。第一磁阻器和第二磁阻器串联在传感器电路的第一电源端子和传感器电路的第二电源端子之间。

公开(公告)号：CN104678329B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410541832.4

申请日：2014-10-14

Applicant: 张庆瑞

Inventor： 张瑞航 ,  张庆瑞

IPC: G01R33/02

CPC classification number: G01R33/098

Abstract: 本发明提供一种磁场感测装置及方法，该磁场感测装置包含：一固定层，其具有一第一磁化方向；一分析层，其具有一第二磁化方向，其中该第一及该第二磁化方向两者间呈一角度；以及一磁性感测层，其在该分析层与该固定层之间；该磁场感测方法包含：提供具有一第一磁化方向的一固定层；提供具有一第二磁化方向的一分析层，其中该第一及该第二磁化方向两者间呈一角度；以及在该分析层与该固定层之间提供一磁性感测层。

公开(公告)号：CN105675026B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510893567.0

申请日：2015-12-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.齐默

IPC: G01D5/16 ,  G01P3/42 ,  G01R27/02

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/096 ,  G01R33/098

Abstract: 在磁阻传感器中磁化的软切换。一种磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的条带部分。所述条带部分可以具有：沿着第一轴从所述条带部分的第一条带边缘延伸到所述条带部分的第二条带边缘的条带宽度，沿着基本上与所述第一轴垂直的第二轴的长度，第一末端，以及第二末端。所述第一末端和第二末端可以沿着所述第二轴定位在所述条带部分的相对末端。所述磁阻传感器可以包括包含磁阻材料的延伸部分。所述延伸部分可以定位在所述条带部分的第一末端处，并且可以具有沿着第一轴的延伸宽度。所述延伸宽度可以大于所述条带宽度，从而所述延伸部分延伸超过第一条带边缘和第二条带边缘。

公开(公告)号：CN103988311B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201280060497.5

申请日：2012-10-31

Applicant: 艾沃思宾技术公司

Inventor： 刘连军 ,  P·马瑟 ,  J·斯劳特

IPC: H01L29/82

CPC classification number: G01R33/0029 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/04 ,  G01R33/098

Abstract: 确定复位电流脉冲和第二稳定电流的至少一个的幅度和方向(它分别产生复位场和第二稳定场)，当施加到磁感测元件的阵列时，在磁传感器的运行和外部场的测量期间，使总的所需的稳定场和复位场最小化。所以弱场传感器在固定的外部场运行点周围最佳地运行(具有最高的灵敏度和最低的功耗)。固定的外部场由传感器器件外壳中的其他组件(比如扬声器磁铁)产生，关于描述方位信息的弱(地球)磁场它们具有强而且是静态的场。

公开(公告)号：CN107091996A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710295965.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 黑龙江大学

Inventor： 赵晓锋 ,  邓祁 ,  艾春鹏 ,  温殿忠

IPC: G01R33/06 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  H01L43/08

CPC classification number: G01R33/06 ,  G01R33/0005 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性；本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合，得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。

公开(公告)号：CN102543176B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110401742.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大森广之 ,  细见政功 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  山根一阳 ,  内田裕行 ,  浅山徹哉

IPC: G11C16/00 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明涉及存储元件和存储装置。所述存储元件包括：存储层、磁化固定层和绝缘层，通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变并且在所述存储层进行信息的记录，并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。所述存储装置包括上述存储元件和两种类型的布线，并且借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。本发明能够实现具有高耐热性、易于应用半导体工艺并且具有优良可生产性的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN103376426B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310137649.3

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.拉贝格

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/09 ,  G01R33/098

Abstract: 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。