公开(公告)号：CN205241512U

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201521092793.0

申请日：2015-12-25

Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 李刚 ,  蒋继文 ,  金克武 ,  曹欣 ,  张宽翔 ,  杨勇 ,  姚婷婷 ,  王芸 ,  徐根保

IPC: C03C17/34

Abstract: 本实用新型公开一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层；采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN205133730U

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201520990901.X

申请日：2015-12-03

Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 ,  中国建筑材料科学研究总院 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 彭寿 ,  姚婷婷 ,  金克武 ,  张宽翔 ,  杨勇 ,  蒋继文 ,  曹欣 ,  徐根保

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型公开一种制备柔性衬底薄膜的磁控溅射装置，包括基片与靶材，所述靶材包括上靶材与下靶材，两个靶材上下相对设置；上靶材的上部与下靶材的下部设有在两个靶材之间形成磁场的磁体，磁场方向与靶材垂直；所述基片垂直设置于两个靶材的外侧；溅射过程中，二次电子飞出靶面后，被靶材阴极的电场加速，电子受磁场束缚向阳极运动，并被有效的封闭在两个靶极之间作洛仑兹运动，形成柱状等离子体，电子能量耗尽后，最终沉积在基片上；由于该电子的能量很低，基片温升较低并且使得薄膜有效避免了离子损伤，同时，薄膜是由靶材离子散射和热分解沉积得到，因此薄膜在室温中沉积，避免柔性衬底在传统磁控溅射过程中烧糊，变形等损坏，保证薄膜质量。

公开(公告)号：CN204210110U

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201420450152.7

申请日：2014-08-11

Applicant: 中国建材国际工程集团有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 徐根保 ,  蒋继文 ,  张宽翔 ,  姚婷婷 ,  曹欣 ,  杨勇 ,  金克武

IPC: B32B17/06 ,  B32B33/00

Abstract: 一种高透过消影导电玻璃，包括沿垂直方向依次层叠的玻璃基板，折射率匹配层，和透明导电膜层，所述折射率匹配层由高折射率层，折射率渐变层，及低折射率层组成，所述折射率渐变层沿垂直方向位于所述高折射率层和所述低折射率层之间，所述高折射率层与所述玻璃基板相连，所述低折射率层连接至所述透明导电膜层。所述折射率匹配层由SiOxNy构成，所述SiOxNy为SiO2和Si3N4的中间相。采用此种结构的消影导电玻璃，透明导电电极区域和刻蚀区域透过率差值在0.5％以下，并且整个消影导电玻璃的反射率降至5％以下，在实现消影的同时，大幅度的提高了其光学透过率。

公开(公告)号：CN204058587U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420450696.3

申请日：2014-08-11

Applicant: 中国建材国际工程集团有限公司 ,  蚌埠玻璃工业设计研究院

Inventor： 徐根保 ,  杨勇 ,  金克武 ,  蒋继文 ,  张宽翔 ,  曹欣 ,  姚婷婷

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 一种能改变靶表面磁通量的可移动磁控溅射靶，包括靶材组件和磁体组件，所述靶材组件和所述磁体组件之间可以相对运动。本实用新型的能改变靶表面磁通量的可移动磁控溅射靶，由于有电子控制单元，磁体组件水平和垂直方向的运动速率可调，可精确控制磁体组件的位置；当磁体组件做水平方向运动时，相应的磁体在靶材表面所产生的“拱形”磁场在靶材表面来回移动，导致刻蚀区域变宽，不会产生固定的“V”型刻蚀沟，大大提高了靶材的利用率；当使用不同靶材镀膜时，磁体组件可以垂直方向运动，相应的靶表面磁通量也得到了调整，使不同靶材在镀膜时得到最佳的性能。