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公开(公告)号：CN102751347A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210134176.7
申请日：2012-04-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/1832 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及光伏器件和制造方法。在本发明的一个方面，提供光伏器件。该光伏器件包括：透明层；设置在该透明层上的第一多孔层，其中该第一多孔层包括多个延伸通过该第一多孔层的厚度的孔；设置在该多个孔中来形成图案化的第一半导体层的第一半导体材料；以及设置在该第一多孔层和该图案化的第一半导体层上的第二半导体层，其中该图案化的第一半导体层是大致上透明的。也提供制造光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102629631A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210028492.6
申请日：2012-02-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/0296 , H01L31/056 , H01L31/073 , Y02E10/52 , Y02E10/543
Abstract: 在本发明的一个方面，提供一种光伏装置。光伏装置包括：第一半导体层；p+型半导体层；以及置于第一半导体层与p+型半导体层之间的夹层，其中夹层包括镁和碲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101136444B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710142488.1
申请日：2007-08-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L31/035254 , B82Y20/00 , H01L31/035245 , H01L31/03529 , H01L31/075 , Y02E10/548 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/762 , Y10S977/948 , Y10S977/954
Abstract: 在有些实施方案中，本发明涉及包含硅(Si)纳米线101为活性PV元件的光伏(PV)器件100、200和1400，在其中，这类器件一般都是薄膜Si太阳能电池。这类太阳能电池一般都具有p-i-n型并能制成前面和/或背面(即上和/或下)照明的。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法以及使用这类器件的体系和模块(例如，太阳能电池板)。
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公开(公告)号：CN101132028B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710142489.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035245 , B82Y20/00 , H01L31/035254 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/072 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 在有些实施方案中，本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如，太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案，这类器件能包含p-n结(100)、p-i-n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下，细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当，但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外，纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。
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公开(公告)号：CN102751347B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210134176.7
申请日：2012-04-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/1832 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及光伏器件和制造方法。在本发明的一个方面，提供光伏器件。该光伏器件包括：透明层；设置在该透明层上的第一多孔层，其中该第一多孔层包括多个延伸通过该第一多孔层的厚度的孔；设置在该多个孔中来形成图案化的第一半导体层的第一半导体材料；以及设置在该第一多孔层和该图案化的第一半导体层上的第二半导体层，其中该图案化的第一半导体层是大致上透明的。也提供制造光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102299158A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110153576.8
申请日：2011-05-27
Applicant: 通用电气公司
Inventor： B·A·科列瓦尔
IPC: H01L27/142 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0296 , H01L31/0368 , H01L31/0463 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 本发明名称为单片集成太阳能模块和制造方法。提供单片集成光伏(PV)模块(200)并且其包括第一导电层(12)和绝缘层(24)。该第一导电层设置在该绝缘层下面。该PV模块进一步包括背接触金属层(28)、p型半导体层(14)、具有至少大约5μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)和n型半导体层(18)。该大致上本征半导体层设置在该p型和该n型半导体层之间从而形成有源半导体堆叠(30)。该背接触金属层设置在该绝缘层和该有源半导体堆叠之间。该PV模块进一步包括设置在该有源半导体堆叠(30)上的第二导电层(22)、至少一个延伸通过该背接触金属层(28)的第一沟槽(11)、至少一个延伸通过该有源半导体堆叠的第二沟槽(13)和至少一个延伸通过该第二导电层(22)的第三沟槽(15)。
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公开(公告)号：CN101136444A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710142488.1
申请日：2007-08-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/035254 , B82Y20/00 , H01L31/035245 , H01L31/03529 , H01L31/075 , Y02E10/548 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/762 , Y10S977/948 , Y10S977/954
Abstract: 在有些实施方案中，本发明涉及包含硅(Si)纳米线101为活性PV元件的光伏(PV)器件100、200和1400，在其中，这类器件一般都是薄膜Si太阳能电池。这类太阳能电池一般都具有p－i－n型并能制成前面和/或背面(即上和/或下)照明的。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法以及使用这类器件的体系和模块(例如，太阳能电池板)。
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