公开(公告)号：CN102347382A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110221682.5

申请日：2011-07-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： F·R·艾哈迈德 ,  B·A·科列瓦尔 ,  J·W·布雷 ,  W·K·梅茨格尔

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供光伏器件。该器件包括透明导电层。p型半导体窗口层设置在该n型透明导电层之上。n型半导体层设置在该p型半导体窗口层之上。n型碲化镉吸收层设置在该p型半导体窗口层和该n型半导体层之间。

公开(公告)号：CN102299158B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110153576.8

申请日：2011-05-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0463

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明名称为单片集成太阳能模块和制造方法。提供单片集成光伏(PV)模块(200)并且其包括第一导电层(12)和绝缘层(24)。该第一导电层设置在该绝缘层下面。该PV模块进一步包括背接触金属层(28)、p型半导体层(14)、具有至少大约5μm的中等晶粒大小并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)和n型半导体层(18)。该大致上本征半导体层设置在该p型和该n型半导体层之间从而形成有源半导体堆叠(30)。该背接触金属层设置在该绝缘层和该有源半导体堆叠之间。该PV模块进一步包括设置在该有源半导体堆叠(30)上的第二导电层(22)、至少一个延伸通过该背接触金属层(28)的第一沟槽(11)、至少一个延伸通过该有源半导体堆叠的第二沟槽(13)和至少一个延伸通过该第二导电层(22)的第三沟槽(15)。

公开(公告)号：CN102593195A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110463070.7

申请日：2011-11-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·C·罗霍 ,  B·A·科列瓦尔 ,  H·曹 ,  J·曹 ,  J·D·迈克尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明一方面提供透明电极。透明电极包括衬底和设置在衬底上的透明层。透明层包括(a)包括氧化锡镉的第一区域；(b)包括锡和氧的第二区域；以及(c)介于第一区域和第二区域之间的包括镉、锡和氧的过渡区域，其中过渡区域中的镉对锡的原子比在过渡区域厚度上变化。第二区域还具有高于第一区域电阻率的电阻率。本发明还提供了光伏器件、光伏模块和制作方法。

公开(公告)号：CN102237445A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110112719.0

申请日：2011-04-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·C·罗霍 ,  R·舒巴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。

公开(公告)号：CN101853893A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010159775.5

申请日：2010-03-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·N·约翰逊 ,  D·钟 ,  Y·A·奚 ,  F·R·艾哈迈德

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。

公开(公告)号：CN101853888A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010157085.6

申请日：2010-03-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  F·R·艾哈迈德

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明提供一种包含层的光伏器件。所述层包含由晶粒间界分隔的许多晶粒，其中晶粒为p型或n型。晶粒间界包含活性掺杂剂。晶粒间界中活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶粒间界可以为相同类型或相反类型。另外，在晶粒间界为n型时，晶粒间界的底部可以为p型。本发明还公开一种制备层的方法。

公开(公告)号：CN102544213B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110461918.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  S·费尔德曼-皮博迪 ,  R·D·戈斯曼

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用于制造硫化镉层的方法。该方法包括多个步骤，所述步骤包括提供衬底以及在衬底上设置含镉层，随后硫化含镉层。

公开(公告)号：CN102237445B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110112719.0

申请日：2011-04-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  J·C·罗霍 ,  R·舒巴

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L33/0083 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供一种用于形成光伏电池(10)的背接点(12)的方法，光伏电池(10)包括至少一个半导体层(14)。该方法包括：在半导体层(14)的表面(15)上施加化学活性材料的连续膜(16)；以及活化化学活性材料，以使得活化材料蚀刻半导体层(14)的表面(15)。该方法还包括：从光伏电池(10)中去除活化材料的连续膜(16)；以及在半导体层的蚀刻表面(15)上沉积金属接触层(18)。

公开(公告)号：CN102544213A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461918.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  S·费尔德曼-皮博迪 ,  R·D·戈斯曼

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用于制造硫化镉层的方法。该方法包括多个步骤，所述步骤包括提供衬底以及在衬底上设置含镉层，随后硫化含镉层。

公开(公告)号：CN101132028A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710142489.6

申请日：2007-08-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·查卡拉科斯 ,  B·A·科列瓦尔 ,  J·A·弗龙黑泽 ,  J·E·鲍尔奇

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035245 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035254 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 在有些实施方案中，本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如，太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案，这类器件能包含p－n结(100)、p－i－n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下，细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当，但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外，纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。