公开(公告)号：CN108963017A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710367374.0

申请日：2017-05-23

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 戴明志

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明提供了一种非平面PN结及其制造方法，非平面PN结由P型半导体和N型半导体衔接形成P‑N结构，其中，所述P型半导体和所述N型半导体的衔接面为非平面，P型半导体和N型半导体衔接的交界面可以为相互配合的波浪形侧面；非平面PN结也可以是由P型半导体、本征半导体以及N型半导体衔接形成P‑I‑N结构，其中，本征半导体设置于P型半导体和N型半导体之间，这样，将形成PN结的P型半导体和N型半导体的交界面设置为非平面结构，增大P型半导体和N型半导体的交界面面积，从而增加光生载流子界面，有助于提高光电转化效率，提高太阳能电池片性能。

公开(公告)号：CN108666232A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710193707.2

申请日：2017-03-28

Applicant: 雷仲礼

Inventor： 雷仲礼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/4583 ,  B65G47/248 ,  B65G2201/0297 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1876

Abstract: 本申请公开了一种基板翻转装置及翻转方法，此外，本申请还公开了一种基板处理系统。在该基板处理系统内设置有翻转室，该翻转室内设置有基板翻转装置。当基板的一个表面处理完成后，该基板由传送室内的基板传送装置传送至翻转室，利用翻转室内的基板翻转装置可以在真空环境下实现基板的翻转，翻转后，再由传送室内的基板传送装置传送至工艺反应室，对基板的另一表面进行处理，完成基板正、背两面上的处理。如此，通过本申请提供的基板处理系统无需将基板传送至系统外进行翻转，通过其包括的翻转室以及翻转室内的基板翻转装置就能够使得基板在基板处理系统内完成翻转，因此，通过本申请提供的基板处理系统能够提高基板加工效率，减少基板污染几率。

公开(公告)号：CN108198893A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810090987.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖红领 ,  王琨 ,  王权 ,  李巍 ,  姜丽娟 ,  冯春 ,  王翠梅 ,  王晓亮

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明提供了一种氮面极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明的特点是外延层为氮面极性，使得光吸收层i-InGaN层中的总极化电场与内建电场方向相同，从而使极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。

公开(公告)号：CN105899462B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201480072862.3

申请日：2014-11-13

Applicant: 纳米技术有限公司

Inventor： 克里斯托弗·纽曼 ,  翁布雷塔·马萨拉 ,  保罗·柯卡姆 ,  卡里·艾伦 ,  斯蒂芬·怀特莱格

IPC: C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/00 ,  H01L31/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/0322 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/541

Abstract: 一种用于制备铜铟镓二硒化物/二硫化物(CIGS)纳米粒子的方法，其利用富铜化学计量法。将富铜CIGS纳米粒子用有机硫族元素配体覆盖，使得纳米粒子适合在有机溶剂中处理。可以将纳米粒子沉积在衬底上并在富硫族元素气氛中热处理以促使过量的铜向硒化铜或硫化铜的转化，所述硒化铜或硫化铜可以充当烧结助熔剂以促进液相烧结并因此促进大晶粒的生长。如此制备的纳米粒子可用于制造基于CIGS的光伏器件。

公开(公告)号：CN106062973B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN105723521B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201480062323.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 金仓淳志 ,  古久保有哉 ,  仲山彻

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的课题在于提供一种吸光率高且能够提高发电效率的量子点层以及太阳能电池。光电转换层(1)具备具有多个量子点(3)以及包围该量子点(3)的阻挡部(4)的含量子点层(5)，在含量子点层(5)的厚度方向的剖面，提取在含量子点层(5)的表面(7)侧在平面方向上相邻排列的3个量子点(3、3a)，在描绘了连结位于两侧的2个量子点(3)的表面(7)侧的端部的直线(L)时，位于中央的量子点(3a)从直线向表面(7)侧突出了该位于中央的量子点(3a)的直径的1/2以上。由此能够得到光探测层(17)中的吸光率高且发电效率高的光电转换层(1)以及使用了该光电转换层的光电转换装置。

公开(公告)号：CN105556680B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201480035698.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 王士原 ,  王士平

Inventor： 王士原 ,  王士平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/035272 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12176 ,  H01L23/66 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2223/6627 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。

公开(公告)号：CN103855232B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201210524534.5

申请日：2012-12-07

Applicant: 第一太阳能马来西亚有限公司

Inventor： 曹金波 ,  蔡钟佑 ,  威廉.H.胡贝尔 ,  辛骞骞 ,  徐晟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0445 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提出了一种光伏器件。该光伏器件包括第一半导体层、第二半导体层和布置在第一半导体层和第二半导体层之间的夹层，其中，该夹层包括镁。还提出了制造光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN104396033B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380032606.7

申请日：2013-06-18

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 帕斯卡·昆纳德

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤：‑减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺寸；‑在所述基本结构(150)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；‑形成n型电接触垫(145)和p型电接触垫(138)；‑将导电材料层(141)沉积在所述基本结构(150)上并且对所述导电材料层(141)进行抛光；以及‑通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。

公开(公告)号：CN104396021B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380007599.5

申请日：2013-01-30

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加利福尼亚技术学院

Inventor： G·M·金伯尔 ,  H·A·阿特瓦特 ,  N·S·刘易斯 ,  J·P·伯斯科 ,  R·克里斯廷-利格曼菲斯特

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明利用一种处理，其包括在磷属元素化物半导体膜的表面上形成富含磷属元素区域的蚀刻处理。在许多实践方式中所述区域很薄，在很多实施方式中经常只有大约2至3nm厚。以前的研究者把所述区域留在原位而没有认识到它存在的事实和/或它的存在(如果已知)可损害所生成的器件的电子性能。本发明认识到，形成和除去所述区域有利地使所述磷属元素化物膜表面高度光滑并且电子缺陷减少。所述表面充分制备以供进一步器件制造。