太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件

    公开(公告)号:CN116995131A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310834031.6

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件,涉及光伏技术领域。方法包括:在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层;在压印模板上形成第二导电图案;将所述第二导电图案与所述第一导电图案对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电图案共晶键合在一起;或者,将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域共晶键合在一起;去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的,可以减少对太阳能电池本体的影响,且易于实现量产,工艺简单且成熟,可以降低制备成本。

    太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件

    公开(公告)号:CN115064610A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210795205.8

    申请日:2022-07-07

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件,涉及光伏技术领域。方法包括:在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层;在压印模板上形成第二导电图案;将第二导电图案与第一导电图案对准,并将第二导电图案与第一导电图案通过导电胶膜层或导电胶图案粘接在一起;或者,将第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域对准,并将第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域通过导电胶膜层或导电胶图案粘接在一起;导电胶膜层或导电胶图案的材料包括:导电材料和粘结剂;去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的,可以减少对太阳能电池本体的影响,且易于实现量产,工艺简单且成熟,可以降低制备成本。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119744026A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411875149.4

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,以降低背接触电池的热斑风险,提高背接触电池的抗烧毁能力。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第一界面钝化层、第二掺杂半导体层和透明导电层。第一掺杂半导体层设置于第一区域。沿半导体基底的厚度方向,第一界面钝化层和第二掺杂半导体层依次层叠设置于第二区域上、且延伸覆盖至部分第一掺杂半导体层上。透明导电层覆盖于第二掺杂半导体层上。第一掺杂半导体层靠近第二区域的边缘部分为孔洞分布区。第二掺杂半导体部的反向漏电部分通过第一界面钝化层至少覆盖孔洞结构的部分与第一掺杂半导体层电性连接,反向漏电部分上覆盖有由第二区域延伸过来的透明导电层。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118630076A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410788218.1

    申请日:2024-06-18

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,用于使得背接触电池具有较低的热斑风险,提高背接触电池的工作可靠性;同时,使得背接触电池在正向电压区域内具有较高的工作效率。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体部和透明导电层。在反向漏电区域中,透明导电层从第二区域延伸进入交叠区域的部分为第一透明导电部,第一透明导电部通过第二掺杂半导体部与第一掺杂半导体部电性连接。上述第一透明导电部在第一方向上的宽度为W1,交叠区域在第一方向上的宽度为W2,W1与W2的比值大于等于10%、且小于等于90%。

    太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件

    公开(公告)号:CN116995132A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310835204.6

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件,涉及光伏技术领域。方法包括:在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层;在压印模板上形成第二导电图案;将所述第二导电图案与所述第一导电图案对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电图案焊接在一起;或者,将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域对准,并将所述第二导电图案与所述第一导电膜层中待形成电极的区域焊接在一起;去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的,可以减少对太阳能电池本体的影响,且易于实现量产,工艺简单且成熟,可以降低制备成本。

    一种刻蚀方法和太阳能电池
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116825884A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310489156.X

    申请日:2023-05-04

    Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法和太阳能电池,涉及光伏技术领域。刻蚀方法包括:采用图形印刷方式,在待刻蚀膜层上,形成第一掩膜层;第一掩膜层包括:基体和位于基体上的若干凸起;相邻凸起之间的间距,大于凸起的宽度;采用涂布方式,在第一掩膜层相邻的凸起之间,形成第二掩膜层,使得凸起裸露;以第二掩膜层作为掩膜,采用第一刻蚀液去除第一掩膜层的凸起,以及凸起下方的基体,使得待刻蚀膜层部分裸露;以第二掩膜层作为掩膜,采用第二刻蚀液去除裸露的部分待刻蚀膜层。本发明由于凸起和第二掩膜层两者的厚度,以及制备先后顺序的限制,第二掩膜层基本不会在第一掩膜层的凸起上残留,待刻蚀膜层可以有效被刻蚀,提升了刻蚀良率。

    一种背接触电池及其制造方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116722052A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310602681.8

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,用于增大透明导电层临近隔离区域的侧壁与背光面之间的夹角,利于实现对透明导电层边缘部分的形貌的控制,进而利于减小隔离区域的线宽,提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括:半导体基底和透明导电层。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。第二面具有交替间隔排布的N型区域和P型区域、以及位于N型区域和P型区域之外的隔离区域。上述透明导电层形成在半导体基底具有的N型区域和P型区域上。透明导电层中形成在N型区域上的部分与透明导电层中形成在P型区域上的部分相互绝缘。透明导电层与隔离区域相邻的侧面和第二面之间的夹角大于等于30°、且小于等于90°。

    掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件

    公开(公告)号:CN115513045A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211030907.3

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明提供了一种掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件,涉及太阳能电池制备技术领域。掩膜制备方法包括:采用曝光光源照射感光干膜的第一表面,以对感光干膜曝光;第一表面和感光干膜中与第一表面相对的第二表面,对曝光光源的反射率均小于或等于5%;将曝光后的感光干膜压合在电池本体的表面,并对曝光后的感光干膜显影。本发明中,曝光过程没有在太阳能本体上进行,曝光过程不会受到太阳能本体上高反射系数的结构的影响,且第一表面和第二表面对于曝光光线的反射较弱,曝光光线基本不会反射至栅线区域,曝光区域基本仅为曝光光源照射区域,显影后掩膜在栅线区域基本没有残留,易于电镀栅线电极。

    太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件

    公开(公告)号:CN115064609A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210795202.4

    申请日:2022-07-07

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件,涉及光伏技术领域。方法包括:在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层;在压印模板上形成第二导电图案;在第二导电图案与所述第一导电图案之间,通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案,通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电图案连接在一起;或,在第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域之间,通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案,通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域连接在一起;去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的,可以减少对太阳能电池本体的影响,且易于实现量产,工艺简单且成熟,可以降低制备成本。

    一种背接触电池及其制造方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119421555A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411231314.2

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,用于使得背接触电池具有较低的热斑风险,提高背接触电池的工作可靠性;同时,使得背接触电池在正向电压区域内具有较高的工作效率。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体部和透明导电层。在反向漏电区域中,透明导电层从第二区域延伸进入交叠区域的部分为第一透明导电部,第一透明导电部通过第二掺杂半导体部与第一掺杂半导体部电性连接。上述第一透明导电部在第一方向上的宽度为W1,交叠区域在第一方向上的宽度为W2,W1与W2的比值大于等于10%、且小于等于90%。

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