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公开(公告)号：CN108226236B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201810085260.1
申请日：2018-01-29
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种集成化湿度传感器及其制作工艺，所述湿度传感器以C型硅杯(1)为衬底，在所述C型硅杯(1)的上表面生长有二氧化硅层(2)，在所述二氧化硅层(2)的上表面设置有叉指电极(3)，在所述二氧化硅层(2)的下表面设置有加热电阻(7)，在所述叉指电极(3)上设置有感湿层(4)，在所述二氧化硅层(2)的上表面、感湿层(4)周围设置有加磁线圈(5)；所述湿度传感器采用集成化工艺制备，具有集成化程度高、体积小的优点，并且，同时具有湿度检测的稳定性好、灵敏度高、响应时间快和线性度好等优点。
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公开(公告)号：CN113488587B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110328498.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种CRS阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底(1)和设置在其上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极(2)、中间层和顶电极(3)，所述阻变单元具有一个或多个。本发明提供的CRS阻变存储器，采用氧化石墨烯和银纳米粒子构成中间层，与顶电极和底电极构成一个或多个阻变单元，表现出CRS特性，有效解决了Crossbar阵列中未被选择单元的潜通路电流问题。本发明提供的CRS阻变存储器的制备方法，操作简单，成本低廉，易于实现阻变存储器单元的小型化和集成化，适合规模化工业应用。
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公开(公告)号：CN113488586A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110326972.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生物阻变存储器及其制备方法，所述生物阻变存储器包括介质层，所述介质层由生物材料和纳米材料复合而成，其通过旋涂的方式制作在顶电极和底电极之间。本发明所述生物阻变存储器，生物材料易获取、无需化学提取和纯化、成本低、可被人体吸收、对环境无害、可生物降解，生物材料与纳米材料复合制备的介质层，能够显著提升阻变存储器的阻变性能。本发明提供的生物阻变存储器的制备方法，步骤简单易操作，可塑性强，成本低廉，工作电压低，适用范围广泛，制备的生物阻变存储器具有较长的保持时间和良好的耐久性，能够有效地实现对器件开关比的调控。
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公开(公告)号：CN110632538A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910894125.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场/加速度集成传感器和集成化工艺方法，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc-Si:H(n+)作为磁敏感层，加速度传感器敏感单元主要为原位掺杂的纳米多晶硅薄膜电阻，可实现对三维磁场和三轴加速度的同时测量。本发明基于微电子机械加工技术在SOI晶圆器件层上完成集成传感器芯片制作，并通过键合工艺和内引线压焊技术实现芯片封装，具有体积小、易于批量生产等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108975265A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810144174.3
申请日：2018-02-12
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成空间磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有六个呈立体结构的硅磁敏三极管，其中两两硅磁敏三极管结合，形成三个磁敏感单元，并且，在芯片内采用MEMS技术嵌入导磁微结构，对z轴方向的磁场进行聚集并导向，从而使得所述传感器实现了空间三维磁场(Bx、By和Bz)的检测。本发明所述单片集成空间磁矢量传感器结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。
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公开(公告)号：CN108975261A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201811020543.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN105588772B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610150467.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种压敏材料应变因子测试装置及测试方法，该装置包括防震台、悬臂梁测试构件、模态激振器、激振器信号源、激光非接触振动测量仪、万用表、数字示波器和计算机；悬臂梁测试构件放置在模态激振器上，在激振器信号源的作用下以一定频率振动，万用表通过互连线与悬梁臂上的压敏材料构成的敏感结构相连，用于测量压敏材料电阻阻值，计算阻值相对变化量；激光非接触振动测量仪的探头可发射激光到悬臂梁顶端，激光非接触振动测量仪的输出端与数字示波器相接，用于记录激光非接触振动测量仪的模拟信号输出，数据可输入到计算机进行数据分析，得到应变和应变因子。本发明装置结构简单，检测稳定性高，可满足高精确度的检测要求。
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公开(公告)号：CN107356885A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710713847.8
申请日：2017-08-18
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/02 , G01R33/0052
Abstract: 本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置，用于x轴方向磁场分量的检测，另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置，用于y轴方向磁场分量的检测；并且，在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺，实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所述单片集成二维磁场传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。
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公开(公告)号：CN107091996A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710295965.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 黑龙江大学
CPC classification number: G01R33/06 , G01R33/0005 , G01R33/0052 , G01R33/098 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺，其中，所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR)；其中，所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方，所述基区设置于发射区和集电区的一侧，且所述基区制作在硅腐蚀坑内，提高了基区载流子注入能力，进而提高磁敏三极管的磁敏特性；本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合，得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合，兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能，实现了对磁场的宽量程检测。
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