公开(公告)号：CN111867992A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980017599.0

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/20 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

公开(公告)号：CN111373548A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075372.7

申请日：2018-08-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。