公开(公告)号：CN111867992B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201980017599.0

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/20 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

公开(公告)号：CN115611510A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211424319.8

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/02

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

公开(公告)号：CN115636584A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211426784.5

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/02 ,  C03B18/20 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

公开(公告)号：CN113711378A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030224.0

申请日：2020-04-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  户田喜丈 ,  增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  森田晋平 ,  小林光

IPC: H01L51/50

Abstract: 一种纳米粒子的集合体，是由金属氧化物构成的纳米粒子的集合体，各纳米粒子包含锌(Zn)和硅(Si)，以原子数比计Zn/(Zn+Si)为0.3～0.95，换算成圆的粒径为1nm～20nm的范围。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。

公开(公告)号：CN115611510B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202211424319.8

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/02

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

公开(公告)号：CN110364538B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201910291541.7

申请日：2019-04-11

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 岛村刚直 ,  赤尾安彦 ,  前野泰伸 ,  增茂邦雄 ,  泷本康幸 ,  吉野晴彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。本发明提供一种设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。提供一种通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，所述方法包含：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。

公开(公告)号：CN111129358A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911017018.1

申请日：2019-10-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  中村伸宏 ,  渡边晓

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供实用性高的光电转换元件的制造方法。一种制造光电转换元件的方法，具有如下步骤：步骤(1)在基板上配置图案化前的第一电极；步骤(2)在上述图案化前的第一电极的上部配置由包含锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)的金属氧化物构成的、图案化前的第一层；步骤(3)将上述图案化前的第一电极和上述图案化前的第一层一起图案化，形成图案化的第一电极和图案化的第一层；步骤(4)在上述图案化的第一层的上部配置光电转换层，所述光电转换层是将施加电压转换为光的层或者将入射光转换为电力的层；以及步骤(5)在上述光电转换层的上部配置第二电极。

公开(公告)号：CN110364538A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910291541.7

申请日：2019-04-11

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 岛村刚直 ,  赤尾安彦 ,  前野泰伸 ,  增茂邦雄 ,  泷本康幸 ,  吉野晴彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。本发明提供一种设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。提供一种通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，所述方法包含：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。

公开(公告)号：CN115636584B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202211426784.5

申请日：2019-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  小野和孝 ,  谷井史朗 ,  德永未央 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/02 ,  C03B18/20 ,  C03C23/00

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其应变点为650℃以上，50～350℃的平均热膨胀系数为30×10－7～45×10－7/℃，以氧化物基准的质量％表示，含有54～66％的SiO2、10～25％的Al2O3、0.1～12％的B2O3、合计7～25％的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分，含有150～2000质量ppm的Na2O，至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。