公开(公告)号：CN111373548A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075372.7

申请日：2018-08-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。

公开(公告)号：CN113711378A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030224.0

申请日：2020-04-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  户田喜丈 ,  增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  森田晋平 ,  小林光

IPC: H01L51/50

Abstract: 一种纳米粒子的集合体，是由金属氧化物构成的纳米粒子的集合体，各纳米粒子包含锌(Zn)和硅(Si)，以原子数比计Zn/(Zn+Si)为0.3～0.95，换算成圆的粒径为1nm～20nm的范围。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。