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公开(公告)号：CN105739233A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610184327.8
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。
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公开(公告)号：CN102834773B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180018078.0
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , B82Y30/00 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , G03F1/26 , G03F1/54 , G03F7/2041 , Y10S977/755
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。
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公开(公告)号：CN113614636A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019456.6
申请日：2020-02-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案和硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，其中，硬掩模膜(4)由含有硅、氧及氮的材料形成，硬掩模膜(4)的氮的含量为2％以上且18％以下，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰。
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公开(公告)号：CN112166376A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980034268.8
申请日：2019-05-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层及第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＜k2及k2＞k3的关系，将第1层、第2层及第3层的膜厚分别设为d1、d2、d3时，满足d1＜d3及d2＜d3的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110770652A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039083.1
申请日：2018-05-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有相移膜(2)和遮光膜(3)的结构，相移膜与遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，遮光膜具备从透光性基板侧起层叠有下层(31)及上层(32)的结构，下层由铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，上层由金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，上层对于曝光光的消光系数kU大于下层对于曝光光的消光系数kL。
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公开(公告)号：CN112189167B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980034001.9
申请日：2019-05-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层(21)及第2层(22)的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。
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公开(公告)号：CN113383271B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202080012522.7
申请日：2020-02-06
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能：使KrF准分子激光的曝光光以2％以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能，相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构，将下层在曝光光的波长下的折射率设为nL、将上层在曝光光的波长下的折射率设为nU时，满足nL＞nU的关系，将下层在曝光光的波长下的消光系数设为kL、将上层在曝光光的波长下的消光系数设为kU时，满足kL＞kU的关系，将下层的厚度设为dL、将上层的厚度设为dU时，满足dL＜dU的关系。
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公开(公告)号：CN110770652B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880039083.1
申请日：2018-05-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有相移膜(2)和遮光膜(3)的结构，相移膜与遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，遮光膜具备从透光性基板侧起层叠有下层(31)及上层(32)的结构，下层由铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，上层由金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，上层对于曝光光的消光系数kU大于下层对于曝光光的消光系数kL。
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公开(公告)号：CN110603489B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201880016943.X
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)和式(2)中限定的关系。n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)n≧29.316×k2‑92.292×k+72.671···式(2)。
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