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公开(公告)号：CN110603489A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880016943.X
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)和式(2)中限定的关系。n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)n≧29.316×k2-92.292×k+72.671···式(2)。
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公开(公告)号：CN115933308A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310002958.3
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。
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公开(公告)号：CN111742259B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201980013951.3
申请日：2019-02-13
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/3065 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
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公开(公告)号：CN106353963B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201610520850.3
申请日：2016-07-05
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩模的形成的相移掩模半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有：相移层；反射率降低层；金属层，其设置在相移层与反射率降低层之间，在350nm～436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数；相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性，并且相移膜的膜表面反射率在350nm～436nm的波长区域内为10％以下。
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公开(公告)号：CN102472963A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029743.1
申请日：2010-07-01
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: G03F7/0042 , G03F7/2053
Abstract: 一种功能梯度型无机抗蚀剂，其具有被照射激光的主表面和与上述主表面相向的背面、通过热而变化状态；上述功能梯度型无机抗蚀剂包含单层抗蚀剂；使上述单层抗蚀剂的至少组成从上述主表面侧至上述背面侧连续地变化；上述单层抗蚀剂中，局部被照射激光时达到一定温度的区域的各向异性从上述主表面侧向上述背面侧连续地提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111801618B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201980016758.5
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , C23C14/06 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n为2.5以上且3.1以下，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，而且上述折射率n2及消光系数k2满足(条件1)～(条件5)中的1个以上条件。
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公开(公告)号：CN110603489B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201880016943.X
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)和式(2)中限定的关系。n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)n≧29.316×k2‑92.292×k+72.671···式(2)。
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公开(公告)号：CN103828022A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047339.6
申请日：2012-09-12
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: B29C59/022 , B29C33/424 , B29C33/56 , B29C2033/0094 , B29C2059/023 , B29K2905/08 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09D1/00 , G03F7/0002 , G11B5/855 , Y10T428/265 , B29C33/3878
Abstract: 在具有硬掩模层的模具坯中，所述硬掩模层具有包含铬、氮和氧的组成，并具有这样的含有率变化结构：所述氮的含有率在层厚方向上连续性地或者阶段性地变化，而且所述氧的含有率在所述层厚方向上朝与所述氮实质相反的方向连续性地或者阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN111801618A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016758.5
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , C23C14/06 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n为2.5以上且3.1以下，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，而且上述折射率n2及消光系数k2满足(条件1)～(条件5)中的1个以上条件。
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公开(公告)号：CN111742259A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013951.3
申请日：2019-02-13
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/3065 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
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