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公开(公告)号：CN114675486A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210271072.4
申请日：2017-08-02
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 宍户博明
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法。掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2)，其特征在于，遮光膜具有从透光性基板侧起下层和上层依次叠层的结构，下层由含有硅和氮的材料形成，上层由含有硅和氧的材料形成，对ArF曝光光的光学密度为2.5以上，表面反射率为30％以下，背面反射率为40％以下，对900nm波长的光的透过率为50％以下，下层对900nm波长的光的消光系数为0.04以上，厚度为60nm以下。
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公开(公告)号：CN109643058B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201780050886.2
申请日：2017-08-02
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 宍户博明
Abstract: 本发明的目的在于提供一种掩模坯料(100)，遮光膜图案(2a)具有高ArF耐光性，且解决了使用波长为800nm以上900nm以下的长波长光进行标记检测时的检测灵敏度不足的课题。掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2)，其特征在于，遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜，对ArF准分子激光的曝光光的光学密度为2.5以上，表面反射率为40％以下，背面反射率为40％以下，对900nm波长的光的透过率为50％以下，消光系数为0.04以上，厚度为60nm以下。
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公开(公告)号：CN110603489A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880016943.X
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)和式(2)中限定的关系。n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)n≧29.316×k2-92.292×k+72.671···式(2)。
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公开(公告)号：CN115933308A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310002958.3
申请日：2018-02-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。
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公开(公告)号：CN113614637A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022142.1
申请日：2020-02-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案、硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，该掩模坯料(100)如下所述地构成：上述硬掩模膜(4)的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的N1s窄谱的最大峰为检测下限值以下，硅与氧的含有比率(原子％)Si:O小于1:2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111133379A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061746.X
申请日：2018-09-06
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G01N23/2258 , G03F1/58
Abstract: 掩模坯料(10)在透光性基板(1)上层叠有利用由硅和氮构成的材料形成的相移膜(2)、遮光膜(3)以及硬掩模膜(4)，其中，在通过二次离子质量分析法对相移膜进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，相移膜的除了基板附近区域与表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。
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公开(公告)号：CN111133379B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880061746.X
申请日：2018-09-06
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G01N23/2258 , G03F1/58
Abstract: 掩模坯料(10)在透光性基板(1)上层叠有利用由硅和氮构成的材料形成的相移膜(2)、遮光膜(3)以及硬掩模膜(4)，其中，在通过二次离子质量分析法对相移膜进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，相移膜的除了基板附近区域与表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。
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公开(公告)号：CN110383167B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880014226.3
申请日：2018-01-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
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公开(公告)号：CN113383271A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202080012522.7
申请日：2020-02-06
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能：使KrF准分子激光的曝光光以2％以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能，相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构，将下层在曝光光的波长下的折射率设为nL、将上层在曝光光的波长下的折射率设为nU时，满足nL＞nU的关系，将下层在曝光光的波长下的消光系数设为kL、将上层在曝光光的波长下的消光系数设为kU时，满足kL＞kU的关系，将下层的厚度设为dL、将上层的厚度设为dU时，满足dL＜dU的关系。
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公开(公告)号：CN105739233B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610184327.8
申请日：2011-04-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。
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