光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法

    公开(公告)号:CN103676468B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201310439264.2

    申请日:2013-09-24

    Abstract: 光掩模及其制造方法、转印方法及平板显示器的制造方法。其中多色调光掩模包含透光部、遮光部、第1半透光部和第2半透光部,第1半透光部是在透明基板上形成第1半透光膜而成,第2半透光部是在透明基板上形成第2半透光膜而成,所述制造方法具有:在透明基板上层叠第1半透光膜、遮光膜和第1抗蚀剂膜;对第1抗蚀剂膜实施第1描绘来形成第1抗蚀剂图案;蚀刻遮光膜和第1半透光膜;形成第2半透光膜和第2抗蚀剂膜;对第2抗蚀剂膜实施第2描绘来形成第2抗蚀剂图案;蚀刻第2半透光膜,以在第1半透光部与第2半透光部的边界处,第1半透光膜和第2半透光膜的周缘部具有预定范围的重叠量的重叠的方式形成第1描绘或第2描绘的描绘数据。

    光掩模和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109001957B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201810528531.6

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 本发明提供光掩模和显示装置的制造方法。通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下,难以转印出忠实于光掩模的图案设计的高精细图案。本发明为在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模,转印用图案具备:第1狭缝图案,其是形成在第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案,具有一定宽度W1的部分;第2狭缝图案,其是形成在除了交叉区域以外的第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案,具有比一定宽度W1小的一定宽度W2的部分;和辅助图案,其是未独立地进行解像的图案,对在被转印体上所形成的黑色矩阵像的形状进行修整。

    光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106324977B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201610423251.X

    申请日:2016-06-15

    Inventor: 小林周平

    Abstract: 本发明提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为对于h线的相移量(度)为对于i线的相移量(度)为时,则满足且这些中,最接近180度的值为

    光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN112987484A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110223505.4

    申请日:2016-06-15

    Inventor: 小林周平

    Abstract: 本发明提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为对于h线的相移量(度)为对于i线的相移量(度)为时,则满足且这些中,最接近180度的值为

    光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110262182A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910485133.5

    申请日:2016-06-15

    Inventor: 小林周平

    Abstract: 本发明提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为 对于h线的相移量(度)为 对于i线的相移量(度)为时,则满足 且这些 中,最接近180度的值为

    光掩模和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109001957A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201810528531.6

    申请日:2018-05-29

    CPC classification number: G03F1/00 G03F1/68 G03F7/20 H01L21/027

    Abstract: 本发明提供光掩模和显示装置的制造方法。通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下,难以转印出忠实于光掩模的图案设计的高精细图案。本发明为在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模,转印用图案具备:第1狭缝图案,其是形成在第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案,具有一定宽度W1的部分;第2狭缝图案,其是形成在除了交叉区域以外的第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案,具有比一定宽度W1小的一定宽度W2的部分;和辅助图案,其是未独立地进行解像的图案,对在被转印体上所形成的黑色矩阵像的形状进行修整。

    光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106324977A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610423251.X

    申请日:2016-06-15

    Inventor: 小林周平

    CPC classification number: G03F1/26

    Abstract: 本发明提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为 对于h线的相移量(度)为 对于i线的相移量(度)为 时,则满足 且这些中,最接近180度的值为 。

Patent Agency Ranking