公开(公告)号：CN105474330B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201480044106.X

申请日：2014-07-24

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  金在镇 ,  朴哲凞 ,  朴致成 ,  田信姬 ,  郑相允 ,  郑汉娜

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C08J7/06

CPC classification number: C23C18/31 ,  C09D5/24 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/204 ,  C23C18/2053 ,  C23C18/22 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/56 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/09009

Abstract: 本发明提供一种通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法，即使在聚合物树脂本身不含有特定无机添加剂的情况下，所述方法也能够通过简化的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案，本发明还涉及其上形成有导电图案的树脂结构。通过电磁波的直接辐射形成导电图案的方法包括：通过向聚合物树脂基底上选择性地辐射电磁波来形成具有预定表面粗糙度的第一区域；在所述聚合物树脂基底上形成导电种子；通过对其上形成有导电种子的聚合物树脂基底进行电镀来形成金属层；以及从所述聚合物树脂基底的第二区域脱除所述导电种子和金属层，其中，所述第二区域具有小于所述第一区域的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN103534200B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201280023009.3

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00

CPC classification number: C01G53/006 ,  C01B19/002 ,  C01G51/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L35/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-z-bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0

公开(公告)号：CN105531771A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480042323.5

申请日：2014-09-22

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 田信姬 ,  朴致成 ,  金宰贤 ,  郑相允 ,  朴哲凞

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K1/092 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/204 ,  C23C18/405 ,  H01B1/22 ,  H05K1/0373 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/105 ,  H05K3/181 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2203/107 ,  C08K3/22 ,  C08L69/00

Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物和使用该组合物形成导电图案的方法，以及具有所述导电图案的树脂结构，所述组合物能够形成精细导电图案，该精细导电图案降低机械-物理性能的劣化并对各种高聚物树脂产品或树脂层具有优异的粘合强度的。所述用于形成导电图案的组合物包含聚合物树脂；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，该非导电金属化合物颗粒在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm，其中，包含所述第一金属或第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物颗粒通过电磁辐射形成。

公开(公告)号：CN103517870B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201280022498.0

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/032

CPC classification number: C01G51/006 ,  C01B19/002 ,  C01G55/002 ,  C01P2004/54 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/032 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0

公开(公告)号：CN105283925A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480023940.0

申请日：2014-04-17

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴致成 ,  郑汉娜 ,  郑相允 ,  朴哲凞 ,  郑粲烨 ,  金宰贤 ,  田信姬

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K3/105 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2248 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/204 ,  C23C18/405 ,  H01B1/22 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/185 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2203/107 ,  C08L69/00

Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物，该组合物能够通过非常简单的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案，使用该组合物形成导电图案的方法，以及具有该导电图案的树脂结构。所述用于形成导电图案的组合物包含：聚合物树脂，以及含有第一金属和第二金属的非导电金属化合物，其中，所述非导电金属化合物具有如下三维结构，该三维结构包括多个第一层，该第一层含有第一金属和第二金属中的至少一种金属并且具有互相二维连接的共边八面体，以及含有与第一层的金属不同的金属并且位于相邻的第一层之间的第二层；并且由非导电金属化合物通过电磁照射形成含有第一金属或第二金属或其离子的金属核。

公开(公告)号：CN103459310B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280014424.2

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/032 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了一种可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体，及其应用。所述化合物半导体可由以下化学式表示：InxCo4-aSb12-zQz，其中，Q是选自由以下各项组成的组的至少一种：O、S、Se和Te，0

公开(公告)号：CN103534201A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023795.7

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L35/14 ,  H01L31/032

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01G51/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/032 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxCo4-aSb12-z-bQz，其中Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种；0

公开(公告)号：CN103492310A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280020538.8

申请日：2012-04-26

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G51/00 ,  C01G15/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0264 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxMyCo4-mAmSb12-n-zXnTez，其中M为选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Pd、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种，A为选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种，X为选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种，0

公开(公告)号：CN103459310A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280014424.2

申请日：2012-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  金兑训

IPC: C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  H01L31/042

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/032 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了一种可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体，及其应用。所述化合物半导体可由以下化学式表示：InxCo4-aSb12-zQz，其中，Q是选自由以下各项组成的组的至少一种：O、S、Se和Te，0

公开(公告)号：CN103178202A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054899.0

申请日：2009-08-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 朴哲凞 ,  孙世姬 ,  权元钟 ,  洪承泰 ,  金兑训

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/16 ,  C09K11/881 ,  C09K11/885 ,  H01B1/08 ,  H01B1/10 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x 0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。