公开(公告)号：CN1906777A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001543.4

申请日：2005-05-11

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 姜旼秀 ,  孙世焕 ,  崔贤 ,  张俊起 ,  全相映 ,  金渊焕 ,  尹锡喜 ,  韩荣圭

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/42 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/5278 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/424 ,  H01L51/441 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种在用于空穴注入或空穴引出的电极中具有n－型有机化合物层的电子器件。该器件包括用于注入或引出空穴的第一电极，该第一电极包括导电层和位于导电层上的n－型有机化合物层；用于注入或引出电子的第二电极；位于导电层和第二电极之间的p－型有机化合物层。p－型有机化合物层在n－型有机化合物层和p－型有机化合物层之间形成NP结。n－型有机化合物层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与导电层的费米能级之间的能级差约为2eV或更小，并且n－型有机化合物层的LUMO能级与p－型有机化合物层的最高未占据分子轨道(HOMO)能级之间的能级差约为1eV或更小。