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公开(公告)号:CN106206838B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201610369425.9
申请日:2016-05-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤:在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。
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公开(公告)号:CN104183656B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410214046.3
申请日:2014-05-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0684 , H01L31/18 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括:第一导电类型的基板;第一掺杂区域,该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质;以及第一电极部,该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数,并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。
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公开(公告)号:CN106206838A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610369425.9
申请日:2016-05-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022425
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板的一个表面上方形成隧道层;在所述隧道层上方形成半导体层;在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域;以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤:在所述半导体层上方形成掩模层;利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口;以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。
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