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公开(公告)号：CN104037243A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410075991.X
申请日：2014-03-04
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。
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公开(公告)号：CN102456755B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0368 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103928567A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410019541.9
申请日：2014-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。
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公开(公告)号：CN102903768A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210262809.2
申请日：2012-07-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。
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公开(公告)号：CN106898658A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611272990.X
申请日：2016-12-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106159008B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610458890.X
申请日：2016-05-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/049 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；钝化膜，所述钝化膜被形成在所述导电区域上，所述钝化膜具有接触孔；保护膜，所述保护膜在所述接触孔内被形成在所述导电区域上，所述保护膜被形成在所述接触孔的内侧表面的至少一部分和所述钝化膜二者中的至少一个上；以及电极，所述电极通过所述接触孔被电连接至所述导电区域且使所述保护膜被插置在所述电极与所述导电区域之间。
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公开(公告)号：CN103928567B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410019541.9
申请日：2014-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。
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公开(公告)号：CN106159008A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610458890.X
申请日：2016-05-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/049 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/1876
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，所述导电区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；钝化膜，所述钝化膜被形成在所述导电区域上，所述钝化膜具有接触孔；保护膜，所述保护膜在所述接触孔内被形成在所述导电区域上，所述保护膜被形成在所述接触孔的内侧表面的至少一部分和所述钝化膜二者中的至少一个上；以及电极，所述电极通过所述接触孔被电连接至所述导电区域且使所述保护膜被插置在所述电极与所述导电区域之间。
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公开(公告)号：CN102456755A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN106898658B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201611272990.X
申请日：2016-12-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
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