公开(公告)号：CN104638030B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410643805.8

申请日：2014-11-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑一炯 ,  李恩珠 ,  梁斗焕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN104183656A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410214046.3

申请日：2014-05-20

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  许美姬 ,  李恩珠 ,  郑一炯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；以及第一电极部，该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数，并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。

公开(公告)号：CN103390659B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310164677.4

申请日：2013-05-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  申太熙 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其具有第一导电类型；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极。所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分。所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻。所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

公开(公告)号：CN104638030A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643805.8

申请日：2014-11-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑一炯 ,  李恩珠 ,  梁斗焕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括光电转换单元，其包括形成在光电转换单元的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域。电极接触光电转换单元并且包括形成在光电转换单元上的粘附层和形成在粘附层上的电极层。粘附层具有大于光电转换单元的热膨胀系数并且小于电极层的热膨胀系数的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN104037243A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410075991.X

申请日：2014-03-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁斗焕 ,  梁周弘 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。

公开(公告)号：CN105244389B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510504761.5

申请日：2015-07-06

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李基源 ,  金基修 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0475 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 讨论了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：在半导体基板的一个表面上的隧穿层；在所述隧穿层上的第一导电类型区域；在所述隧穿层上的第二导电类型区域；第一电极和第二电极，该第一电极连接到所述第一导电类型区域，该第二电极连接到所述第二导电类型区域。所述隧穿层包括第一部分和第二部分。所述第一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的至少一部分对应并且具有第一厚度。所述第二部分的至少一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的边界部分对应。所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN104979409A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510162162.X

申请日：2015-04-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金基修 ,  李基源 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。一种太阳能电池包括半导体基板、位于该半导体基板的一个表面上的导电类型区域、以及连接至该导电类型区域的电极。所述电极包括位于所述导电类型区域上的电极层以及位于该电极层上的印刷电极层。

公开(公告)号：CN104934486A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510116774.5

申请日：2015-03-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；导电型区域，该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域；电极，该电极包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域；以及钝化层，该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。

公开(公告)号：CN104810416A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510045391.3

申请日：2015-01-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑寅道 ,  沈承焕 ,  郑一炯 ,  南正范

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域；位于所述至少一个导电型区域上的保护层；以及电极，该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。

公开(公告)号：CN102456755B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110391311.1

申请日：2011-10-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金真阿 ,  南正范 ,  郑寅道 ,  梁周弘 ,  崔亨旭 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。