公开(公告)号：CN112349833A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010784298.5

申请日：2020-08-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  犬伏和海

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种能够减少磁化的旋转所需要的能量的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Mn、Cr、Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN109216539A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810686463.6

申请日：2018-06-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39

Abstract: 本发明提供一种改善了磁阻效应的磁阻效应元件。所述磁阻效应元件其特征在于，磁阻效应元件(MR)具备作为磁化固定层的第一铁磁性层(4)、作为磁化自由层的第二铁磁性层(6)、以及设置于第一铁磁性层(4)和第二铁磁性层(6)之间的非磁性间隔层(5)，所述非磁性间隔层(5)具有设置于非磁性间隔层(5)的下表面的第一插入层(5A)和设置于非磁性间隔层(5)的上表面的第二插入层(5C)中的至少一个，第一插入层(5A)和第二插入层(5C)是Fe2TiSi。

公开(公告)号：CN118632614A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410906303.3

申请日：2020-12-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN113036032B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011519004.2

申请日：2020-12-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。

公开(公告)号：CN112993148B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011422090.5

申请日：2020-12-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN118241176A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410365960.1

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54 ,  G06F30/27 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN118120034A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280007548.1

申请日：2022-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  中田胜之 ,  浅井海图

IPC: H01F17/00 ,  H01F10/32 ,  H01F27/29

Abstract: 本发明的自旋电感器具有第一电感器层、第一端子以及第二端子。第一电感器层具备第一配线层、和与第一配线层相接的第一铁磁性层。第一端子与第一电感器层的第一侧面相接。第二端子与第一电感器层的与第一侧面不同的第二侧面相接。将上述第一侧面的上端边和下端边相连的假想面相对于上述层叠方向倾斜。

公开(公告)号：CN112349832B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010777761.3

申请日：2020-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  植村哲也

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种能够进一步增大MR比(磁阻变化率)和RA(面电阻)的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金构成。Co2FeαXβ……(1)式(1)中，X表示选自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一种以上的元素，α和β表示满足2.3≤α+β、α

公开(公告)号：CN111525026B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010079078.2

申请日：2020-02-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。

公开(公告)号：CN110392932B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880004343.1

申请日：2018-10-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H10N50/10 ,  H10B99/00 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿着第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X2YZ表示的化合物。