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公开(公告)号：CN101558006A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045825.3
申请日：2007-12-10
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 彼得·G·斯滕肯
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0056 , B81B2201/016 , B81C2201/017 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明涉及MEMS器件，其包括：第一电极和第二电极，第二电极借助于悬挂结构而悬起并距第一电极一定距离。MEMS器件还包括至少一个变形电极。当通过变形电极施加静电变形力时，第二电极和悬挂结构之一或这二者能够塑性变形。这样，可消除在制造不同的器件或操作单个器件期间出现的第二电极的关断状态位置的改变。
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公开(公告)号：CN102906011B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180025557.5
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号：CN102295263B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号：CN102906871A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025549.0
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。
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公开(公告)号：CN102906011A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025557.5
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102295264A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110174027.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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公开(公告)号：CN102295263A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号：CN107032294A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611067967.7
申请日：2016-11-25
Applicant: 原子能和替代能源委员会
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2203/0315 , B81C1/00476 , B81C2201/013 , B81C2201/017 , B81C2201/056 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B81C2203/0154 , B81C1/00269 , B81C1/00325
Abstract: 一种用于包封微电子器件(100)的方法，该方法包括以下步骤：生成覆盖所述器件的牺牲部分；生成覆盖所述牺牲部分的封盖(106)，所述封盖(106)包括具有各自的材料并且具有不同残余应力和/或不同热膨胀系数的两个重叠层(108、110)；穿过所述封盖刻蚀沟槽(112)，该沟槽的图案包括曲线和/或两条不平行的直线段；穿过所述沟槽刻蚀牺牲部分；在所述沟槽上沉积密封材料。其中，在刻蚀所述牺牲部分期间，所述封盖由所述沟槽限定的部分(116)在所述封盖的各个层的残余应力和/或热膨胀所产生的机械应力的作用下变形并且增大所述沟槽的尺寸，该机械应力在密封所述沟槽之前被消除。
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公开(公告)号：CN103818872B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310471850.5
申请日：2013-10-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00873 , B81C2201/017 , B81C2201/053 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
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公开(公告)号：CN102906871B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025549.0
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。
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