半导体光调制器
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102033333B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010573435.7

    申请日:2006-03-08

    CPC classification number: G02F1/025 G02F2201/07 G02F2202/102

    Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作,而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中,还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12),在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。

    半导体光调制器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101133355A

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN200680006437.X

    申请日:2006-03-08

    CPC classification number: G02F1/025 G02F2201/07 G02F2202/102

    Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作,而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中,还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12),在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。

    声光器件
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1129021C

    公开(公告)日:2003-11-26

    申请号:CN98115582.0

    申请日:1998-07-02

    CPC classification number: G02F1/125 G02F2201/07

    Abstract: 一种声光器件,包括:形成在声光衬底上的光波导路径;换能器,它横跨光波导路径,且沿着此光波导路径传播一个声表面波;和缓冲层,它使换能器的指状电极在指状电极横跨光波导路径的交叉部分与光波导路径分隔开;指状电极还有直接地接触衬底的其他部分。

    光波导元件
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104204917A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380017120.6

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种光波导元件,其有效地使蓄积在基板内的电荷扩散,抑制了直流漂移和温度漂移。其具有:基板,具有电光效应;光波导,形成于该基板上;缓冲层(BF层),形成于该基板上;以及调制电极(信号电极、接地电极),形成于该缓冲层上,对在该光波导传播的光波进行调制,其特征在于,在该基板与该缓冲层之间形成使在该基板产生的电荷扩散的电荷扩散层,该电荷扩散层与构成该调制电极的接地电极电连接。

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