压电单晶元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100578833C

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200480042913.4

    申请日:2004-10-28

    Inventor: 松下三芳

    CPC classification number: H01L41/1875 H01L41/257 H01L41/41

    Abstract: 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言,在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时,压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内,与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上。

    制造压电陶瓷的方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1287988A

    公开(公告)日:2001-03-21

    申请号:CN00126229.7

    申请日:2000-08-16

    Abstract: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。

    制造压电陶瓷的方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1149182C

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN00126229.7

    申请日:2000-08-16

    Abstract: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。

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