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公开(公告)号:CN100578833C
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200480042913.4
申请日:2004-10-28
Applicant: 杰富意矿物股份有限公司
Inventor: 松下三芳
IPC: H01L41/187 , H01L41/22 , C04B35/00
CPC classification number: H01L41/1875 , H01L41/257 , H01L41/41
Abstract: 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言,在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时,压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内,与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60%以上。
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公开(公告)号:CN1287988A
公开(公告)日:2001-03-21
申请号:CN00126229.7
申请日:2000-08-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/622 , C04B35/46 , H01B3/12 , H03H3/00
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/495 , C04B35/653 , H01L41/1878 , H01L41/41
Abstract: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。
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公开(公告)号:CN105051926B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201480009780.4
申请日:2014-03-24
Applicant: 东芝医疗系统株式会社
IPC: H01L41/187 , A61B8/00 , C01G33/00 , G01N29/24 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H04R17/00 , H04R31/00
CPC classification number: H01L41/08 , A61B8/4444 , B06B1/067 , H01L41/1875 , H01L41/257 , H01L41/338 , H01L41/41 , Y10T29/43
Abstract: 本实施方式所涉及的压电振子具备:单晶压电体,由具有氧化镁和氧化铟中的至少一方和氧化铌的铅复合钙钛矿化合物构成,具有晶体取向为[100]面的第1面和与上述第1面对置,并且晶体取向为[100]面的第2面,并被极化;第1电极以及第2电极,上述第1电极设置在上述单晶压电体的上述第1面侧,上述第2电极设置在上述单晶压电体的上述第2面侧。相对于基于上述单晶压电体未极化或去极处理后的密勒指数(400)的衍射X射线的第1半高宽,基于上述单晶压电体的密勒指数(400)的衍射X射线的第2半高宽为0.22以上0.4以下。
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公开(公告)号:CN102822394B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201180012783.X
申请日:2011-03-09
Applicant: 西铁城精密器件株式会社
CPC classification number: C30B29/22 , C30B15/00 , C30B33/02 , F02D35/023 , G01L9/08 , G01L23/10 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/41
Abstract: 本发明为从由La2O3、Ta2O5、Ga2O3、Al2O3的混合物制备的多晶体起始原料制造LTGA的单晶的方法,提供一种方法,作为多晶体起始原料,使用由y(La2O3)+(1-x-y-z)(Ta2O5)+z(Ga2O3)+x(Al2O3)表示的组成(该式中,0<x≤0.40/9、3.00/9<y≤3.23/9、5.00/9≤z<5.50/9)的混合物,且设结晶培养轴为Z轴,培养LTGA单晶。优选对培养了的LTGA单晶实施真空热处理。通过本发明的方法培养的、高绝缘、高稳定性LTGA单晶,能够应用于对内燃机燃烧室内的燃烧压力的测定有用的高可靠性的燃烧压传感器的压电元件等。
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公开(公告)号:CN100590902C
公开(公告)日:2010-02-17
申请号:CN200480003112.7
申请日:2004-01-30
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/41 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种包括上电极、压电和/或电致伸缩材料和下电极的压电元件,其特征在于,压电和/或电致伸缩材料是由通式ABO3构成的复合氧化物,并且该压电和/或电致伸缩材料具有孪晶。
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公开(公告)号:CN100371510C
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200480030194.4
申请日:2004-10-14
Applicant: 杰富意矿物股份有限公司
IPC: C30B29/30 , C30B29/32 , H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/24
CPC classification number: C30B29/32 , C30B11/00 , C30B29/30 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L41/37 , H01L41/41 , Y10T29/42
Abstract: 通过在镁铌酸铅-钛酸铅(PMN-PT)单晶或锌铌酸-钛酸铅(PZN-PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物,提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言,压电单晶具有复合钙钛矿结构,是一种含有35~98mol%的镁铌酸铅[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]或锌铌酸铅[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]、0.1~64.9mol%的钛酸铅[PbTiO3]以及0.05~30mol%的铟铌酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3]的组成物,其特征在于:该组成物中的0.05~10mol%的铅被置换为钙。
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公开(公告)号:CN1867705A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200480030194.4
申请日:2004-10-14
Applicant: 杰富意矿物股份有限公司
IPC: C30B29/30 , C30B29/32 , H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/24
CPC classification number: C30B29/32 , C30B11/00 , C30B29/30 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L41/37 , H01L41/41 , Y10T29/42
Abstract: 通过在镁铌酸铅-钛酸铅(PMN-PT)单晶或锌铌酸-钛酸铅(PZN-PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物,提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言,压电单晶具有复合钙钛矿结构,是一种含有35~98mol%的镁铌酸铅[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]或锌铌酸铅[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]、0.1~64.9mol%的钛酸铅[PbTiO3]以及0.05~30mol%的铟铌酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3]的组成物,其特征在于:该组成物中的0.05~10mol%的铅被置换为钙。
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公开(公告)号:CN1745486A
公开(公告)日:2006-03-08
申请号:CN200480003112.7
申请日:2004-01-30
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/41 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种包括上电极、压电和/或电致伸缩材料和下电极的压电元件,其特征在于,压电和/或电致伸缩材料是由通式ABO3构成的复合氧化物,并且该压电和/或电致伸缩材料具有孪晶。
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公开(公告)号:CN1149182C
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN00126229.7
申请日:2000-08-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/653 , C04B35/465 , C04B35/495 , H01L41/24
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/495 , C04B35/653 , H01L41/1878 , H01L41/41
Abstract: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。
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