公开(公告)号：CN109338471A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811436074.4

申请日：2018-11-28

Applicant: 同济大学

Inventor： 张弛 ,  林霖 ,  吴超 ,  杨刚

IPC: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  G02F1/355 ,  G02F1/37

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  G02F1/3551 ,  G02F1/37

Abstract: 本发明涉及一种中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料及其制备与应用，该中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料的化学式为K5(W3O9F4)(IO3)，属单斜晶系，其空间群为Pm，晶胞参数为 α＝γ＝90°，β＝101.9～102.8°，Z＝1， 与现有技术相比，本发明中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料在1064nm激光辐照下，粉末倍频效应强度约为磷酸二氢钾晶体的11倍；在2.10μm激光辐照下测得粉末倍频效应强度和磷酸钛氧钾相当。在波长1064nm激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的95倍；该晶体材料在可见光和红外区有很宽的透过范围，完全透过波段为0.32～10.5μm，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN108546993A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810456700.X

申请日：2018-05-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 栾彩娜 ,  马瑾 ,  何林安

IPC: C30B29/22 ,  C30B25/18 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法。本发明采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)技术，以四乙基锡(Sn(C2H5)4)为有机金属Sn源，乙醇钽(Ta(C2H5O)5)为有机金属Ta源，以氧气为氧化物，以氮气为载气，在R面蓝宝石衬底上外延生长钽掺杂氧化锡单晶薄膜。采用R面蓝宝石做衬底可以制备出沿[101]晶向生长的金红石结构的钽掺杂氧化锡薄膜，制备的钽掺杂氧化锡薄膜为单晶薄膜，且迁移率高达58.1cm2V-1s-1，所制备钽掺杂氧化锡单晶薄膜的晶格结构及电学性质均优于氧化锡多晶薄膜，因此是制造透明半导体器件和紫外光电子器件的重要材料。

公开(公告)号：CN105567236B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410546588.0

申请日：2014-10-15

Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司 ,  北京有色金属研究总院

Inventor： 庄卫东 ,  钟继有 ,  刘荣辉 ,  李彦峰 ,  刘元红 ,  徐会兵 ,  陈磊

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7769 ,  C09K11/7774 ,  C30B1/10 ,  C30B29/22 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505

Abstract: 本发明涉及一种具有石榴石结构的可被紫外或蓝光有效激发的荧光粉，该荧光粉的化学式表示为：(M1a‑xM2x)ZrbM3cOd，其中M1元素是选自Sr、Ca、La、Y、Lu及Gd中的一种或两种，其中必含有Ca或Sr，M2元素是选自Ce、Pr、Sm、Eu、Tb及Dy中的一种或两种，必含Ce，M3元素是选自Ga、Si、Ge中的至少一种，必含有Ga；2.8≤a≤3.2，1.9≤b≤2.1，2.8≤c≤3.2，11.8≤d≤12.2，0.002≤x≤0.6。此外，还涉及制备该荧光粉的方法以及包含该荧光体的发光装置、图像显示装置和照明装置。

公开(公告)号：CN105745174B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201480063528.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 井手仁彦 ,  鹫田大辅 ,  星裕二 ,  畑祥巳

IPC: C01G45/00 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01M4/505 ,  C01G45/1242 ,  C01G51/54 ,  C01G53/54 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01B1/08 ,  H01M2/162 ,  H01M2/1653 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/382 ,  H01M4/525 ,  H01M4/623 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0585 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  H01M2004/028 ,  H01M2220/20 ,  H01M2300/0037

Abstract: 本发明提供一种尖晶石型锂金属复合氧化物，其用作锂电池的正极活性物质时，能够发挥优异的高温保存特性。本发明提出了一种尖晶石型(Fd‑3m)锂金属复合氧化物，其中，利用Rietveld法求出的氧占位度(OCC)为0.965～1.000，且利用威廉姆森霍尔法求出的晶格应变为0.015～0.090，且Na含有摩尔量相对于Mn含有摩尔量的比例(Na/Mn)为0.00

公开(公告)号：CN103579491B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310340890.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/35

CPC classification number: H01L41/18 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0

公开(公告)号：CN107345316A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201710552080.5

申请日：2017-07-07

Applicant: 南开大学 ,  祎禾科技有限公司

Inventor： 李维尊 ,  鞠美庭 ,  候其东 ,  黄访 ,  刘琰 ,  王超 ,  刘强

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/22 ,  C30B7/08 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B29/62 ,  C30B7/08 ,  C30B29/22 ,  C30B35/007

Abstract: 一种离子液体预处理脱硫石膏生产硫酸钙晶须的方法包括：将脱硫石膏原料在室温下与[Bmim][PF6]离子液体进行混合萃取重金属，分离后经焚烧研磨后进行水热反应并控制体系pH，趁热过滤可获得长径比为100-200:1的硫酸钙晶须前体，之后通过重结晶方式获得高品质的硫酸钙晶须。本发明的优点是：采用离子液体预处理有效去除脱硫石膏中Ni、Cu、Pb等重金属；引入的pH调节剂能够在保证体系纯度的条件下促进晶须生长；离子液体经减压浓缩后可再生使用；此外本发明所需设备简单，工艺简便，且不会造成附加的环境危害，实现了脱硫石膏废弃物的资源化利用，具有极其深远的社会意义和经济价值。

公开(公告)号：CN107342526A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710397661.6

申请日：2012-06-28

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 弗拉基米尔·德里宾斯基 ,  勇-霍·亚历克斯·庄 ,  约瑟夫·J·阿姆斯特朗 ,  约翰·费尔登

IPC: H01S3/00 ,  G02F1/37 ,  C30B29/10 ,  C30B33/02 ,  G01N21/88 ,  G01N21/94 ,  G01N21/95

CPC classification number: H01S5/0092 ,  C03B33/02 ,  C30B1/02 ,  C30B29/10 ,  C30B29/14 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  C30B33/02 ,  G01N21/88 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  G01N2201/06113 ,  G01N2201/0637 ,  G01N2201/068 ,  G02F1/353 ,  G02F1/3551 ,  G02F1/3553 ,  G02F1/37 ,  G02F2001/3505 ,  G02F2001/3507 ,  G02F2001/354 ,  G02F2202/20 ,  H01S3/0092 ,  H01S3/10 ,  H01S3/10038 ,  H01S3/10046 ,  H01S3/11

Abstract: 本发明揭示一种具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器。具体的，本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。

公开(公告)号：CN105873859B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201480058207.2

申请日：2014-10-21

Applicant: 罗地亚经营管理公司 ,  法国国家科学研究中心 ,  皮埃尔和玛丽居里大学

Inventor： V.比塞特 ,  T.勒默希埃尔 ,  J.拜斯娜蒂艾 ,  S.卡赛侬 ,  D.博特奥 ,  G.瓦莱兹

IPC: C01G41/00 ,  C01G41/02

CPC classification number: C01G41/02 ,  C01G41/00 ,  C01G41/006 ,  C01P2002/60 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/24 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C30B7/12 ,  C30B7/14 ,  C30B29/22

Abstract: 根据本发明的化合物是一种具有式(1)AxW1‑yMOyO3的化合物，其中A选自由以下各项组成的组：Li、Na、NH4、K以及H的阳离子，并且其特征在于x和y验证关系0≤x≤1并且0≤y≤0.5，并且在于该化合物具有基于WO6八面体的六方型晶体结构，所述结构具有由6个、4个和3个所述八面体限定的并且沿c轴定向的孔道。

公开(公告)号：CN107190324A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710068240.9

申请日：2017-02-07

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  信冈政树

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/22

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B29/403 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供在RAMO4基板上通过助熔剂法制造高品质的III族氮化物结晶的方法。所述III族氮化物结晶的制造方法包括：在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成保护层的保护层形成工序；在所述RAMO4基板的外延生长面上，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶的结晶形成工序。

公开(公告)号：CN104868049B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410602181.5

申请日：2014-10-31

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田中良明 ,  桥本和弥 ,  张替贵圣 ,  足立秀明 ,  藤井映志

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14

CPC classification number: G01P9/04 ,  C23C14/088 ,  C30B25/06 ,  C30B29/22 ,  G01C19/5607 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878

Abstract: 提供一种具有更高的退极化温度的NBT‑BT膜。本发明为一种[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜，该[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜仅具有(001)取向，该[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.390纳米以上且0.395纳米以下的a轴长，该[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有0.399纳米以上且0.423纳米以下的c轴长，x表示0以上且1以下的值，该[(Na，Bi)1‑xBax]TiO3晶体压电体膜具有摄氏389度以上的退极化温度。