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公开(公告)号：CN103242044B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310194837.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法，本发明涉及一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法。本发明是要解决目前BN/Si3N4复相陶瓷凝胶注模成型时浆料固相含量低以及BN在Si3N4基体中较难实现均匀分散的问题，本发明的制备方法为：一、制备BN包覆粉；二、制备混合陶瓷粉体；三、制备浆料；四、向浆料中加入引发剂和催化剂，搅拌后进行注模，得到固化的陶瓷湿坯，然后进行干燥，得到干燥后的生坯；五、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂处理，然后进行烧结，得到BN/Si3N4复相陶瓷，即完成。本发明应用于陶瓷材料领域。
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公开(公告)号：CN103613385A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310625253.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/65
Abstract: 非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法，它涉及硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有的非晶/纳米晶硅硼碳氮陶瓷材料烧结温度高、致密度低的问题。硅硼碳氮陶瓷材料由硅粉、石墨和六方氮化硼制成。方法：将原料按一定比例称取后高能球磨混合，然后再进行烧结即得到材料。本发明的硅硼碳氮陶瓷材料呈非晶态，致密度高，硬度高，且制备工艺简单、成本低。本发明主要用于制备非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN103242044A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310194837.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法，本发明涉及一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法。本发明是要解决目前BN/Si3N4复相陶瓷凝胶注模成型时浆料固相含量低以及BN在Si3N4基体中较难实现均匀分散的问题，本发明的制备方法为：一、制备BN包覆粉；二、制备混合陶瓷粉体；三、制备浆料；四、向浆料中加入引发剂和催化剂，搅拌后进行注模，得到固化的陶瓷湿坯，然后进行干燥，得到干燥后的生坯；五、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂处理，然后进行烧结，得到BN/Si3N4复相陶瓷，即完成。本发明应用于陶瓷材料领域。
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公开(公告)号：CN102368397B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110162307.8
申请日：2011-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01B3/12 , H01B19/00 , C04B35/582 , C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/645 , C25B9/00 , C25B1/00
Abstract: 一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用，涉及一种耐腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用。解决现有绝缘壁材料耐冰晶石腐蚀能力较差，使用寿命短，需频繁更换的问题，本发明材料由α-SiC微粉、AlN微粉、纳米Al2O3粉和Y2O3粉末四种原料通过热压烧结制得的，首先将四种原料湿混后干燥得混合粉末，再将混合粉末热压烧结即可。本发明绝缘材料作为电解法生产硅工艺用电解池的绝缘壁材料的应用。本发明绝缘材料具有良好的力学性能，抗弯强度达到449.6～604.6MPa，维氏硬度达到15.82～21.00GPa。在电解硅生产的电解池的熔融冰晶石中腐蚀20小时，未出现明显破坏及失效，具有优异的抗冰晶石腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN102173804B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110027089.7
申请日：2011-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸块体陶瓷材料、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703954A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210206659.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，它涉及一种在钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的方法。本发明是为了解决解决现有TiC颗粒增强钛基复合材料耐磨性差的技术问题。本方法如下：将TiC颗粒增强钛基复合材料放入电解液中，采用双向脉冲电源，处理3～30min，冲洗3～5次，干燥，即得表面微弧氧化陶瓷层TiC颗粒增强钛基复合材料；本发明微弧氧化方法简单有效地解决了TiC陶瓷增强颗粒对复合材料表面微弧氧化放电过程中放电均匀性差和涂层完整性不好的问题，显著增强了复合材料表面的抗磨损性能。
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公开(公告)号：CN101857425B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010206954.X
申请日：2010-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G04F10/10 , H01C7/10 , C04B35/10 , C04B35/645
Abstract: 一种飞行时间探测器用Al2O3-TiN基复合材料及其制备方法，它涉及一种飞行时间探测器用的复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的玻璃电阻板在高电压下的电流大、耐高压性能差的问题。Al2O3-TiN基复合材料由Al2O3、TiN和SiO2制成。方法：一、称取原料；二、球磨、三、混料；四、预压成型；五、烧结即得到了飞行时间探测器用的Al2O3-TiN基复合材料。本发明的Al2O3-TiN基复合材料的力学性能和电学性能好，均能满足飞行时间探测器用电阻板材料的要求。
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公开(公告)号：CN102368397A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110162307.8
申请日：2011-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01B3/12 , H01B19/00 , C04B35/582 , C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/645 , C25B9/00 , C25B1/00
Abstract: 一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用，涉及一种耐腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用。解决现有绝缘壁材料耐冰晶石腐蚀能力较差，使用寿命短，需频繁更换的问题，本发明材料由α-SiC微粉、AlN微粉、纳米Al2O3粉和Y2O3粉末四种原料通过热压烧结制得的，首先将四种原料湿混后干燥得混合粉末，再将混合粉末热压烧结即可。本发明绝缘材料作为电解法生产硅工艺用电解池的绝缘壁材料的应用。本发明绝缘材料具有良好的力学性能，抗弯强度达到449.6～604.6MPa，维氏硬度达到15.82～21.00GPa。在电解硅生产的电解池的熔融冰晶石中腐蚀20小时，未出现明显破坏及失效，具有优异的抗冰晶石腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN101671029B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910073009.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/14
Abstract: 常压干燥制备SiO2气凝胶的方法，它涉及一种SiO2气凝胶的制备方法。本发明克服了超临界干燥制备SiO2气凝胶方法存在设备复杂、生产成本高、危险性高的缺点，以及现有常压干燥工艺不易得到完整的SiO2气凝胶块体的缺点。本发明的SiO2气凝胶制备方法如下：经溶胶凝胶、老化、溶剂置换、表面修饰、清洗以及干燥处理后得到SiO2气凝胶。本方法具有成本低、对设备要求不高、安全性好特点。本发明方法制备的SiO2气凝胶块体质地均匀、完整性好，气孔率在90％～95％，憎水，热导率低。
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