公开(公告)号：CN106165136B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480065927.1

申请日：2014-11-04

Applicant: 华威大学

Inventor： 大卫·贡纳松 ,  伊万·帕克 ,  马丁·普雷斯特 ,  米卡·普伦尼拉 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

Abstract: 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。

公开(公告)号：CN104837854A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064260.9

申请日：2013-11-01

Applicant: 华威大学

Inventor： 马丁·威尔斯 ,  凯瑟琳·艾玛·乔利 ,  里娜·索尼

IPC: C07F15/00 ,  B01J31/18 ,  B01J31/22

CPC classification number: B01J31/2295 ,  B01J31/1658 ,  B01J31/1805 ,  B01J2231/643 ,  B01J2531/821 ,  C07C29/145 ,  C07F15/0046

Abstract: 本发明涉及合成束缚钌催化剂的方法及可由该方法获得的新的束缚钌催化剂。所述方法包括进行“芳烃交换”反应，而无需使用利用不可靠的伯奇还原和不稳定的环二烯基中间体的复杂技术。

公开(公告)号：CN102791729A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012324.1

申请日：2011-03-07

Applicant: 华威大学 ,  植物生物科学有限公司

Inventor： 洪益国 ,  S·杰克逊 ,  李春阳

IPC: C07K14/415 ,  C12N15/82

CPC classification number: C12N15/8261 ,  C07K14/415 ,  C12N15/827 ,  Y02A40/146

Abstract: 一种植物，该植物含有修饰的FT多核苷酸，该FT多核苷酸表达修饰的多肽，该植物表现改变的开花时间、成花数量和/或增加的种子产量。公开了赋予不同表型的不同突变体序列。

公开(公告)号：CN1714427A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03820954.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 华威大学

Inventor： 亚当·丹尼尔·开普维尔 ,  蒂莫西·约翰·格拉斯彼 ,  埃文·休伯特·克雷斯威尔·帕克 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种形成晶体调谐半导体衬底的方法包括如下步骤：通过提供在Si表面上平行间隔的氧化物墙(2)来确定该Si表面的平行条，在该条上选择性生长第一SiGe层，使得第一位错(3)优先在墙(2)之间的第一SiGe层中延伸，以释放在第一SiGe层中横切于墙(2)的方向上的应变，在第一SiGe层的顶部上生长第二SiGe层以生长超过墙(2)，使得在墙(2)之上的第二SiGe层中优先形成第二位错，以释放在第二SiGe层中横切于第一位错(3)的方向上的应变。这样产生的位错用于在相互横切的方向上释放材料中的应力，同时由于在空间上被分隔而使这两组位错不能发生相互作用。这样，将大地降低了穿透位错的密度和表面粗糙度，因而通过减少导致有源器件中电子散射和使电子移动速度下降的原子晶格破坏增强了虚拟衬底的性能。

公开(公告)号：CN116034091A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180046027.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 华威大学

Inventor： 陶善文

IPC: C01G51/00

Abstract: 用于电化学装置的固体离子传导材料包含源自具有钙钛矿、钙铁石、层状氧化物和/或K4CdCl6结构的氧化物的羟基氧化物或水合氧化物，初始氧化物的元素组成被选择为向衍生的无水或水合羟基氧化物或水合氧化物提供合适的传导特性。还公开了一种制备这种固体离子传导材料的方法(包括用水处理)以及引入这种固体离子传导材料(可选地作为电解质)的电化学装置。

公开(公告)号：CN115667902A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080099984.7

申请日：2020-12-18

Applicant: 哈希朗格有限公司 ,  华威大学

Inventor： 约书亚·詹姆斯·塔利 ,  佐伊·邓肯

IPC: G01N27/30

Abstract: 本申请提供了一种用于将硼掺杂金刚石电极表面上的碳区改性的方法，所述方法包括：将硼掺杂金刚石电极表面放入水溶液中，其中所述水溶液包含离子处理溶液；在所述硼掺杂金刚石电极表面上施加电压差；和将所述硼掺杂金刚石电极表面的区域上的碳区改性，其中所述改性响应于在所述硼掺杂金刚石电极表面处于所述水溶液中时的电压的施加，其中所述改性被持续，直到达到所述碳区的所需信号。所述传感器在处理后用作pH传感器。

公开(公告)号：CN114340793A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080042441.1

申请日：2020-04-15

Applicant: 华威大学

Inventor： 瓦西里·坎茨勒 ,  马克斯·迈斯纳 ,  安东·布卡廷 ,  彼得·邓尼森科

IPC: B01L3/00 ,  C12M3/06 ,  C12N5/071

Abstract: 公开一种活动细胞分选装置。该装置包括腔室(4)、与该腔室流体连通的入口(5)和出口(6)以及设置在该腔室中的多个分立阻隔件(8)。每个分立阻隔件包括至少一个壁部(15、16)和至少一个朝向出口的锐角边缘(17)。

公开(公告)号：CN109937465A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780069889.0

申请日：2017-09-12

Applicant: 华威大学

Inventor： 彼得·欧康纳 ,  玛丽亚·安德烈亚·范阿格托文

IPC: H01J49/00 ,  H01J49/42

Abstract: 一种进行质谱分析的方法，包括：使用静电或电动离子阱来容纳多个离子，每个离子具有质荷比，离子具有第一多个质荷比，每个离子沿着具有半径的静电或电动离子阱内的路径；并且对于第二多个质荷比中的每一个：依赖于质荷比，以质荷比依赖性方式调整离子半径；以半径依赖的方式碎裂由此调整的离子；并测定离子的质谱。

公开(公告)号：CN108513577A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201680062839.5

申请日：2016-08-29

Applicant: 阿克伦大学 ,  华威大学

Inventor： 马修·L·贝克尔 ,  安德鲁·P·达夫 ,  温赫·X·特鲁昂格 ,  克雷格·A·贝尔 ,  伊恩·A·巴克尔 ,  虞佳祎

IPC: C08F2/46

Abstract: 在各种实施方式中，本发明提供了具有通过其主链中的立体化学限定的双键控制的机械特性并具有由单体选择和限定的、可改性的链端基团得到的物理特性的坚固的合成弹性体材料(和相关的其制造方法)。通过具有高水平的顺式双键或反式双键含量的逐步增长聚合，将硫醇的有机催化的、立体特异性加成应用至活化的炔烃，提供分离的高摩尔质量的材料(＞100kDa)。此外，在本发明的各个方面，已经发现改变单体组成和链端基团提供了对材料物理特性的额外控制，从而提供与极性添加剂更高效的混合。将该方法应用至弹性体合成，进一步端基改性和通过各种硫化策略进行的增韧也是可能的。

公开(公告)号：CN107548521A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201580076511.4

申请日：2015-02-18

Applicant: 华威大学

Inventor： P·甘蒙 ,  C·W·陈

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/7602 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 描述了功率半导体器件。所述器件包括碳化硅衬底(2)以及具有不大于5μm的厚度tsi的单晶硅层(3)，单晶硅层(3)直接设置在所述衬底上或直接设置在具有不大于100nm的厚度的界面层(22；图2)上的，所述界面层直接设置在所述衬底上。所述器件包括横向晶体管(1)，例如横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管或横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)，其包括设置在所述单晶硅层中的第一和第二触点(151、152)横向间隔的接触区。