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公开(公告)号：CN116765614A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310188474.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 提供了一种激光蚀刻设备和使用该激光蚀刻设备的激光蚀刻方法。所述激光蚀刻方法包括：在激光蚀刻室中，通过从激光模块朝向紧固到卡盘的基底发射激光束来执行第一发射工艺；在执行第一发射工艺之后，将卡盘与激光模块之间的保护窗在第一方向上移动第一距离；在将保护窗在第一方向上移动第一距离之后，通过从激光模块发射激光束来执行第二发射工艺；在执行第二发射工艺之后，将保护窗在第一方向的相反方向上移动第二距离；以及在将保护窗在第一方向的相反方向上移动第二距离之后，通过从激光模块发射激光束来执行第三发射工艺。
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公开(公告)号：CN115127747A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210300646.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G01M3/26
Abstract: 本发明公开一种基板加工装置以及基板加工装置的检查方法。基板加工装置可以包括：第一腔室；第二腔室，配置于所述第一腔室的内部；缆线，从所述第一腔室的外部延伸到所述第二腔室的内部；泄漏检查部，配置于所述第二腔室的所述内部；以及多个空气循环管线，配置于所述缆线的内部，并延伸到所述泄漏检查部的内部，所述泄漏检查部包括：多个阀，连接于所述空气循环管线；以及第一压力传感器，感应所述第二腔室内的压力。
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公开(公告)号：CN102051596B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201010285202.7
申请日：2010-09-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/46
Abstract: 本发明涉及加热单元和具有加热单元的基板处理装置。该基板处理装置包括加热单元，该加热单元对处理多个基板的处理室进行加热，并且在所述处理之后快速冷却所述处理室。所述加热单元包括：具有进气口和排气口的主体；位于所述主体内部的一个或多个加热器；连接至所述主体的进气口的冷却器；连接至所述主体的排气口的排气泵；以及控制所述冷却器的控制器。所述基板处理装置包括：船形体，多个基板被堆叠在该船形体中；提供处理所述基板的空间的处理室；将所述船形体送入或送出所述处理室的传送单元；以及位于所述处理室外部的所述加热单元。
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公开(公告)号：CN102064197B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010287308.0
申请日：2010-09-16
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108500B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010512357.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L27/1277
Abstract: 本发明提供一种汽相沉积装置和使用该汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。该汽相沉积装置包括：被配置为容纳汽相沉积源的罐，所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口；被配置为对所述罐进行加热的加热器；与所述罐流体连通的室，所述室被配置为容纳汽相沉积对象；以及载气供给单元，被配置为将载气供给到所述罐中。
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公开(公告)号：CN101942640B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010224415.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 伊凡·马伊达楚克 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 郑在琓
IPC: C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。
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公开(公告)号：CN101826556B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010124380.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星显示有限公司
Inventor： 朴炳建 , 梁泰勋 , 徐晋旭 , 李基龙 , 马克西姆·利萨琴科 , 崔宝京 , 李大宇 , 李吉远 , 李东炫 , 朴钟力 , 安志洙 , 金永大 , 罗兴烈 , 郑珉在 , 郑胤谟 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑在琓 , 尹祥渊
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。
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公开(公告)号：CN102998897A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210306463.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制造掩模的方法。制造掩模的方法可以包括形成初始肋的步骤和去除初始肋的边缘部分以形成最终肋的步骤，每个最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度。初始肋之间的空间可小于由最终肋限定的缝隙的宽度。
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公开(公告)号：CN219834825U
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202320956051.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种用于制造显示设备的设备。所述设备包括：装载区域，用于装载目标；台单元，设置在装载区域中，并且被配置为使目标的固定表面固定；以及光学单元，设置在装载区域外部，并且被配置为对目标的处理表面进行处理，其中，光学单元包括：激光照射单元，被配置为朝向目标的处理表面照射激光；以及激光移动单元，被配置为使激光照射单元在平面图中沿着处理路径移动。该用于制造显示设备的设备可以具有减小的尺寸。
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