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公开(公告)号：CN103578762B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201210532183.2
申请日：2012-12-11
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层压式陶瓷电子元件及其制造方法。所述层压式陶瓷电子元件包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层；以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极彼此相对设置，在陶瓷本体中电介质层插入第一内电极和第二内电极之间；其中，陶瓷本体包括：活性层，该活性层是电容形成部分；以及覆盖层，该覆盖层是非电容形成部分，该覆盖层形成在活性层的顶面和底面中的至少一者上；并且，当陶瓷本体的厚度为t而覆盖层的厚度为T时，满足T≤t×0.05；当活性层中的电介质颗粒的平均粒径为Da而覆盖层中的电介质颗粒的平均粒径为Dc时，满足0.7≤Dc/Da≤1.5。
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公开(公告)号：CN103578748B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201210363732.8
申请日：2012-09-26
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5472 , C04B2235/782 , C04B2235/784 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T156/1092
Abstract: 本发明提供一种层压式陶瓷电子元件，该层压式陶瓷电子元件包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层；以及第一内电极和第二内电极，该第一内电极和第二内电极彼此相对设置，在陶瓷本体中，所述电介质层插入于该第一内电极和第二内电极之间；其中，在电介质层中的以电介质颗粒的平均粒径为依据的电介质颗粒的累积分布中，当将1%的值设定为D1、将50%的值设定为D50以及将99%的值设定为D99时，满足2≤D99/D50≤3，以及2≤D50/D1≤3。本发明可以实现高电容层压式陶瓷电子元件，该层压式陶瓷电子元件具有电介质层和内电极之间的改善的粘附力，并且可以实现改善的耐压特性和优异的可靠性。
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公开(公告)号：CN106915959A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610702249.6
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开一种介电组陶瓷合物、介电材料以及包含其的多层陶瓷电容器，所述介电材料包括钛酸钡基基体材料主要成分和辅助成分。在所述介电材料的精细的烧结结构中，Ca的含量小于2.5mol％的晶粒为第一晶粒，Ca的含量为4.0mol％至12.0mol％的晶粒为第二晶粒，且所述第一晶粒的平均粒径与所述第二晶粒的平均粒径的比在1.6至2.2的范围内。
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公开(公告)号：CN105622091A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510691447.2
申请日：2015-10-22
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/495
Abstract: 提供一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括：主成分，包括(1-x)BaTiO3-x(Na1-yKy)NbO3，其中，0.005≤x≤0.5且0.3≤y≤1.0；第一子成分，包括从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的元素；第二子成分，包括SiO2。
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公开(公告)号：CN103227049B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210438932.5
申请日：2012-11-06
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/008 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G13/003 , Y10T156/10
Abstract: 提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法。本发明中，覆盖区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC小于工作区域内的陶瓷颗粒的平均直径Da，并且当所述覆盖区域的厚度表示为TC时，满足9μm≤TC≤25μm和TC/DC≥55。可以得到一种具有优良的耐湿性能的多层陶瓷电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578762A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210532183.2
申请日：2012-12-11
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层压式陶瓷电子元件及其制造方法。所述层压式陶瓷电子元件包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层；以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极彼此相对设置，在陶瓷本体中电介质层插入第一内电极和第二内电极之间；其中，陶瓷本体包括：活性层，该活性层是电容形成部分；以及覆盖层，该覆盖层是非电容形成部分，该覆盖层形成在活性层的顶面和底面中的至少一者上；并且，当陶瓷本体的厚度为t而覆盖层的厚度为T时，满足T≤t×0.05；当活性层中的电介质颗粒的平均粒径为Da而覆盖层中的电介质颗粒的平均粒径为Dc时，满足0.7≤Dc/Da≤1.5。
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公开(公告)号：CN112017862B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911240210.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种介电陶瓷组合物以及多层陶瓷电子组件，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡基体材料主成分以及副成分，在烧结所述介电陶瓷组合物之后的微观结构包括第一晶粒和第二晶粒，所述第一晶粒包括3个或更少个畴界，所述第二晶粒包括4个或更多个畴界，并且所述第二晶粒与全部晶粒的面积比为20％或更小。
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公开(公告)号：CN115547686A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210662020.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界。所述晶界包括第二相，所述第二相包括Sn、稀土元素和第一副成分。所述稀土元素包括Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、Tb、Tm、La、Gd和Yb中的至少一种。所述第一副成分包括Si、Mg和Al中的至少一种。
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公开(公告)号：CN113764181A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110556826.6
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种介电材料及使用该介电材料的多层陶瓷电子组件，所述介电材料包括：主成分，由(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3、(Ba1‑xCax)(Ti1‑ySny)O3或(Ba1‑xCax)(Ti1‑yHfy)O3(0≤x≤1且0≤y≤0.05)表示；以及副成分。当在使用Cu Kα1辐射(波长)的X射线衍射(XRD)图谱的(002)和(200)面的峰中，对应于最大峰的角度被称为θ0并且对应于半峰全宽(FWHM)的角度分别被称为θ1和θ2(θ1
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公开(公告)号：CN105622091B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201510691447.2
申请日：2015-10-22
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/495
Abstract: 提供一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括：主成分，包括(1‑x)BaTiO3‑x(Na1‑yKy)NbO3，其中，0.005≤x≤0.5且0.3≤y≤1.0；第一子成分，包括从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的元素；第二子成分，包括SiO2。
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