公开(公告)号：CN1734787A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200410094226.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层，继而形成覆盖层和金属催化剂层；进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层；以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。

公开(公告)号：CN1719615A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410075888.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/923

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜－15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。

公开(公告)号：CN1619836A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410092219.5

申请日：2004-11-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间并具有不同于第一晶粒的晶体特性的第二晶粒。

公开(公告)号：CN1619607A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410089773.8

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00 ,  G09G3/36 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13624 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244

Abstract: 公开了一种平板显示器及其制造方法。在平板显示器中，衬底包括具有多个单位象素的象素区域，和位于象素区域周围的外围电路区域。外围电路区域还包括用于驱动多个单位象素的驱动电路。至少一个电路薄膜晶体管位于外围电路区域，并且包括由顺序横向凝固方法结晶而成的第一半导体层。至少一个象素薄膜晶体管位于象素区域，并且包括具有由金属诱导结晶方法或者金属诱导横向结晶方法之一结晶而成的沟道区的第二半导体层。

公开(公告)号：CN101325220A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10－15L2+2.4×10－12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10－13至6.8×10－13。

公开(公告)号：CN101211979A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301181.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  丁世桓 ,  李基龙 ,  马克西姆·莉萨契克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN100388508C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410099754.3

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN101110365A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710104043.4

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种制造p型薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在衬底上执行第一退火处理以通过覆盖层把金属催化剂扩散到无定形硅层的表面内，以及由于所扩散的金属催化剂而使无定形硅层结晶成多晶硅层；除去覆盖层；形成多晶硅层的图案以形成半导体层；在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；把p型杂质离子植入半导体层；以及把吸气材料植入半导体层和执行第二退火处理以除去金属催化剂。这里，按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入p型杂质离子，而按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入吸气材料。

公开(公告)号：CN1313875C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200410089773.8

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G09G3/36 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13624 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244

Abstract: 公开了一种平板显示器及其制造方法。在平板显示器中，衬底包括具有多个单位象素的象素区域，和位于象素区域周围的外围电路区域。外围电路区域还包括用于驱动多个单位象素的驱动电路。至少一个电路薄膜晶体管位于外围电路区域，并且包括由顺序横向凝固方法结晶而成的第一半导体层。至少一个象素薄膜晶体管位于象素区域，并且包括具有由金属诱导结晶方法或者金属诱导横向结晶方法之一结晶而成的沟道区的第二半导体层。

公开(公告)号：CN1758447A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200410095452.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。