公开(公告)号：CN101373792A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810212607.0

申请日：2008-08-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。

公开(公告)号：CN100379025C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410092219.5

申请日：2004-11-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成。薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上沉积非晶硅并对沉积的非晶硅构图以形成半导体层；在所述半导体层的多个区域上沉积诱导结晶金属层；对衬底上沉积所述诱导结晶金属层的地方进行第一热处理，在所述半导体层中形成金属诱导横向结晶区；和在衬底上形成所述金属诱导横向结晶区的地方以高于所述第一热处理的温度进行第二热处理。

公开(公告)号：CN1716633A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN100411194C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN100401531C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。

公开(公告)号：CN101165881A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710106343.6

申请日：2007-05-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种制造CMOS薄膜晶体管的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成无定形硅层；在衬底上执行第一退火处理以及使无定形硅层结晶成多晶硅层；形成多晶硅层的图案以形成第一和第二半导体层；把第一杂质植入第一和第二半导体层；把第二杂质植入第一或第二半导体层；以及在半导体层上执行第二退火处理以除去残留在植入有第二杂质的第一或第二半导体层中的金属催化剂，其中按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入第一杂质，并且按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入第二杂质。

公开(公告)号：CN1713397A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410075887.7

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在薄膜晶体管中，在半导体层图案而不是在结区中存在晶种或晶粒边界。该法包括形成半导体层图案。该形成的半导体层图案，包括：在非晶硅层上形成和图案化第一覆盖层；在第一覆盖层图案上形成第二覆盖层；在第二覆盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及结晶非晶硅层以形成多晶硅层。因此，可以阻止在结区中产生阱，从而获得改善的和均匀特性的器件。

公开(公告)号：CN1649174A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410103744.2

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种通过使用金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括绝缘衬底、由多晶硅形成的、并具有源极/漏极区和沟道区的有源层、以及在栅极绝缘层上形成的栅极电极。该有源层具有至少两个金属诱导横向晶化(MILC)区域。

公开(公告)号：CN1599080A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN101335302A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。