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公开(公告)号：CN101110365A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710104043.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277
Abstract: 一种制造p型薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在衬底上执行第一退火处理以通过覆盖层把金属催化剂扩散到无定形硅层的表面内，以及由于所扩散的金属催化剂而使无定形硅层结晶成多晶硅层；除去覆盖层；形成多晶硅层的图案以形成半导体层；在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；把p型杂质离子植入半导体层；以及把吸气材料植入半导体层和执行第二退火处理以除去金属催化剂。这里，按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入p型杂质离子，而按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入吸气材料。
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公开(公告)号：CN1758447A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200410095452.9
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1741256A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410103351.1
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。
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公开(公告)号：CN1707810A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200410099717.2
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L29/66757
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。
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