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公开(公告)号：CN1761373A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410099757.7
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/56 , H01L2251/558
Abstract: 提供一种有机发光显示器。该有机发光显示器的特点在于，在没形成有第一电极的区域内的平面化层上所形成的像素界定层的高度低于或等于在第一电极上形成的像素界定层的高度。在形成有机层图案的工序中，使在基板上层压的供体基板与第一电极之间的距离最小化，从而能够利用低的激光束能量就可执行转印。由此，有可能提高激光束的能量效率。另外，由于转印能量低，因此有可能提高装置的效率并延长其寿命。
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公开(公告)号：CN1747611A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410095453.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/385 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/46 , B41M2205/38 , C23C14/048 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光－热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。
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公开(公告)号：CN1744783A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099608.5
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造用于激光诱发热成像(LITI)工艺的供体基板的方法。该方法包括：制备供体基板的基底基板；在基底基板上形成光热转换层；在光热转换层上形成缓冲层；通过处理缓冲层的表面增加缓冲层的表面粗糙度；和在经表面处理的缓冲层上形成转印层。通过使用供体基板，在制造OLED期间可以更好地进行构图工艺。
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公开(公告)号：CN1744781A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099716.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于激光诱致热成像(laser inducedthermal imaging)方法的供体基板和利用该供体基板制造的有机发光显示器(OLED)。还提供了一种制造OLED的方法，由于具有导电层的供体基板电连接于接地台架，当利用激光诱致热成像方法形成有机层时，这种方法能够控制静电。
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公开(公告)号：CN1738499A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200410094218.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种OLED的制造方法。该方法包括提供在其中形成像素电极的基板。此外，该方法包括在该基板的整个表面上层叠附着于框架的施主基板以及对施主基板的预定区域照射激光从而在该像素电极上形成有机层图案。本发明提供了一种OLED的制造方法，该方法能够抑制杂质例如颗粒等的产生，并避免施主基板下垂或弯曲，并且由于施主基板和基板易于彼此附着而维持真空态从而提高了转移效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1622725A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410097428.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L51/56 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种用于激光转印的施主衬底，包括：基薄膜；形成在所述基薄膜上的光－热转化层；以及形成在所述光－热转化层上的转印层。所述转印层包括热固电致发光材料，并且使用所述转印衬底制造有机电致发光显示器件。由此，在激光转印后通过热固化工艺简单地形成具有精细图案的R、G、B发射层。结果，未破坏发射层，并且由于简化的掩模工艺的应用，降低了全色有机电致发光显示器件的制造成本。所述施主衬底在用于制造大尺寸有机电致发光显示器件时具有优势。
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公开(公告)号：CN1622724A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410097410.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/38214 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 用于激光感应热成像方法的施主衬底和用该施主衬底制造的场致发光显示装置，并且通过提供用于激光感应热成像的施主衬底而提供具有保护转移层免受过高热量的优良的发射层特性的一个有机场致发光显示装置，该施主衬底包括基底衬底、形成在该基底衬底的上部上的光－热转换层；以及形成在该光－热转换层的上部并且由有机材料组成的一个转移层，其中包含在该光－热转换层以通过吸收激光生成热的光吸收材料在该光－热转换层中的从基底衬底侧到转移层侧的方向上具有一个聚集梯度；以及使用该施主衬底制造的有机场致发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1610461A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410082447.4
申请日：2004-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金茂显
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法。OLED包括基板和设置在基板上预定区域处、具有源/漏电极的薄膜晶体管。钝化层处于源/漏电极上，具有露出源/漏电极其中之一的通孔。第一像素电极设置在通孔的底部，与露出的源/漏电极电连接，并延伸到通孔的侧壁和钝化层上。平坦化图案填充设有第一像素电极的通孔并露出钝化层上的第一像素电极部分。
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公开(公告)号：CN1592524A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058745.X
申请日：2004-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/41 , B32B7/02 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/443 , B41M2205/02 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , Y10S428/913 , Y10S428/914 , Y10S428/917 , Y10T428/26 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种平面显示器的施体薄膜及利用其制造有机发光器件的方法。为平面显示器提供的该施体薄膜具有：基膜、置于基膜上的光－热转化层、置于光－热转化层上的缓冲层以及置于该光－热转化层和转移层之间的缓冲层，其中缓冲层包括其玻璃转换温度(Tg)低于25℃的材料。为平面显示器提供的该施体薄膜在施主基板的光－热转化层和转移层之间插入该缓冲层，从而改善该转移层和施主基板之间的粘结力。因此，通过利用施体薄膜对转移层进行转移而在受体基板上形成的有机层图案不包含任何缺陷。
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公开(公告)号：CN100460214C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610121985.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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