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公开(公告)号:CN112992406B
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202011460968.4
申请日:2020-12-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B32B7/02 , B32B27/06 , B32B27/38 , H01B3/30 , H01B3/42 , H01B3/40 , H01B3/36 , H01B19/00 , H02K3/30 , H02K3/34
Abstract: 本发明提供一种能够填充绝缘对象的构件之间的间隙、将两者绝缘并固定的绝缘片材,谋求旋转电机的绝缘可靠性、散热性和抗振性的提高。绝缘片材(1)以绝缘纸和热塑性绝缘膜中的任一者或两者为基材(2),在基材(2)的一面或两面形成有由未固化或半固化状态的热固性树脂组合物构成的绝缘树脂层(3)。热固性树脂组合物包含在25℃下为固体的热固性树脂(A)、在25℃下为液态的热固性树脂(B)、在60℃以下为反应惰性的潜固化剂、最大粒径比绝缘树脂层的膜厚小且平均粒径小于所述膜厚的0.5倍的无机填充剂。绝缘片材(1)的绝缘树脂层(3)可通过常温下的加压被高效地压缩到规定厚度,并且通过固化处理时的加热而浸透至定子铁芯(12)与定子线圈(11)的间隙,因此能将两者绝缘并固定。
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公开(公告)号:CN112745742A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202011144108.X
申请日:2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C09D163/02 , C09D163/10 , C09D167/00 , C09D171/12 , C09D7/65 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供一种片型绝缘清漆用的热固性树脂组合物,该片型绝缘清漆能实实在在地填补绝缘对象的构件之间的间隙,直到细微部分,将两者绝缘并固定。热固性树脂组合物用于配置在绝缘对象的构件之间的间隙处的片型绝缘清漆,包含在25℃下为固体的热固性树脂(A)、在25℃下为液态的热固性树脂(B)、在60℃以下为反应惰性的潜固化剂、最大粒径比间隙的尺寸小且平均粒径小于间隙尺寸的0.5倍的无机填充剂,相对于热固性树脂(A)和热固性树脂(B)的总和100质量份包含30质量份~70质量份的热固性树脂(A),无机填充剂相对于组合物整体的体积比在50%以下。使用该树脂组合物的片型绝缘清漆的膜厚设定为间隙尺寸的1.1倍~2.0倍,在25℃、25MPa的压力下压缩10%以上。
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公开(公告)号:CN108137947A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201580083640.6
申请日:2015-10-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明为无溶剂型清漆组合物,其特征在于,包含:在1分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的热固化性树脂(A)、在1分子中具有1个以上的环氧基的热固化性树脂(B)、具有醚键或酯键的单官能性乙烯基系单体、10小时半衰期温度为40℃以上的有机过氧化物和环氧树脂用固化催化剂,热固化性树脂(A)和热固化性树脂(B)的混合树脂的环氧当量为500~5000。该无溶剂型清漆组合物可作为以下的绝缘清漆来使用:在固化处理工序中能量损失少并且固化时间短,而且提供即使暴露于处于高温高压下的包含制冷剂及冷冻机油的制冷剂系环境中也难以产生低聚物等的析出的固化物。
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公开(公告)号:CN101410958B
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200780010859.9
申请日:2007-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/31 , C23C16/507
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/30 , C23C16/342 , C23C16/511 , H01J37/32532 , H01L21/02112 , H01L21/02205 , H01L21/318
Abstract: 提供了一种等离子体CVD设备,所述等离子体CVD设备包括:具有用于供给具有环硼氮烷骨架化合物的入口(5)的反应室(1);设置在反应室(1)中的供电电极(7),用于支承衬底(8)并且被施加负电荷(7);以及等离子体产生工具(12),其介由衬底(8)与供电电极(7)相对设置,用于在反应室(1)内产生等离子体(11)。还提供了一种薄膜形成方法,其中薄膜通过采用具有环硼氮烷骨架的化合物作为原料而形成,以及包括由这样方法形成的薄膜作为绝缘膜的半导体装置。本发明能够产生其中低介电常数和高机械强度可稳定保持长时间且保证绝缘特性的薄膜。
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公开(公告)号:CN101044603A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200580035904.7
申请日:2005-10-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/31 , H01L21/768 , C23C16/38 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/38 , H01L21/318 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供等离子体CVD装置,其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明,可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度,同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量,在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。
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公开(公告)号:CN1508840A
公开(公告)日:2004-06-30
申请号:CN03157738.5
申请日:2003-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76275 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/402 , H01L29/78603 , H01L29/8611
Abstract: 本发明的介质分离型半导体装置包括:设于半导体衬底(1)的第一主面的主介质层(3-1)、隔着主介质层(3-1)面对半导体衬底(1)的第一导电型的第一半导体层(2)、形成于第一半导体层(2)表面的第一导电型的第二半导体层(4)、包围第一半导体层(2)外周边的第二导电型的第三半导体层(5)、包围第三半导体层(5)外周边的环形绝缘膜(9)、设于第二半导体层(4)上的第一主电极、设于第三半导体层(5)上的第二主电极、设于半导体衬底(1)的第二主面的背面电极(8)、设于第二半导体层(4)正下方且至少与第二主面一部分接合的辅助介质层(3-2)。由于上述结构,本发明的介质分离型半导体装置能够不损及RESURF效应地提高耐压性能。
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公开(公告)号:CN1131545C
公开(公告)日:2003-12-17
申请号:CN98119654.3
申请日:1998-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035
Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时,其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上,曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸,在界面上形成交联层4,形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后,通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2,进而用水清洗,得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。
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