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公开(公告)号:CN208704659U
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201821477304.7
申请日:2018-09-10
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本实用新型公开了基于电容传感器的F-P微位移测量系统的线性度比对装置。本实用新型中“工”形支架一端固定在光学平台上,F-P标准具干涉测量系统放置在其上方,面阵器件布置在F-P标准具干涉测量系统前且处于同一光轴中用于干涉成像,应力加载系统改变应力F的大小,电容传感器探头通过检测电容的变化量,从而根据电路模块得到矩形等截面梁的形变量。用F-P标准具干涉测量系统和电容传感器得到相应的位移量,通过对二者线性度曲线的比较完成F-P标准具微位移测量系统的线性度比对。本实用新型具有检测精度高,可同步完成两种方法的测量,适用于高准确度微位移测量系统的线性度比对。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN222560913U
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202420541675.6
申请日:2024-03-20
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01B11/06 , G01B9/02015
Abstract: 本实用新型公开了一种双端面干涉测厚装置,包括光学平台、外壳。包括光学底座(1),外壳(2),所述光学底座(1)上设有氦氖激光器(3)、反射镜1(4)、反射镜2(5)、扩束仪(6)、会聚透镜(7)、反射镜3(8)、分光镜1(9)在一侧呈“S”形分布,分光镜1(9)、反射镜4(10)、反射镜5(11)、装夹主体(12)、反射镜6(13)呈等腰三角形分布,分划板(14)、CCD相机(15)分布于等腰三角形另一侧。装夹主体包括两个分光镜(7)与装夹部件,底部装有电机。本发明利用分波面干涉同心圆环进行待测材料的非接触无研合双端面测量,可以提高精度,提高效率,节省环境要求成本,省却小数重合法运算,便于检测自动化,实现与国家基准米定义之间的直接溯源。
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公开(公告)号:CN206192502U
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201621291008.9
申请日:2016-11-29
Applicant: 中国计量大学 , 中国计量科学研究院 , 浙江华东光电仪器有限公司
IPC: G01J1/42
Abstract: 本实用新型提供了一种单像元场效应自混频太赫兹探测器响应度参数的标定装置。本实用新型至少包括太赫兹源模块、探测器模块、平移台和夹具装置、光学镜片组、数据采集处理模块和显示模块等6部分。由于传统标准光源定标方法自身不确定度较高,且在定标过程中易引入一些无法准确测量的不确定度因素等误差,本实用新型的单像元场效应自混频太赫兹探测器响应度参数的标定装置使用标准探测器对比的方式,可以对单像元太赫兹探测器实现精确定标,降低量值传递的不确定度。并通过在波路中加入监视探测器,消除波源稳定性对于传递结果的影响,使标定结果更准确。
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