公开(公告)号：CN1879222A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN110120389B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201910098499.7

申请日：2019-01-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 内山和典 ,  袴田尚树 ,  佐佐木义 ,  出口昌孝 ,  堀田幸司 ,  吉田忠史

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。本说明书提供一种在收容有半导体元件的半导体模块与冷却器的层叠体由弹簧在层叠方向上加压的半导体装置中利用一个弹簧来缓和向层叠体的端面的中央的压力集中的技术。半导体装置具备层叠体、抵接板及弹簧。抵接板在半导体模块与冷却器的层叠方向上与层叠体相接。弹簧与抵接板相接，经由抵接板而对层叠体在层叠方向上加压。弹簧与抵接板的与层叠方向正交的方向上的中央部相接。在抵接板的面向层叠体的一侧的中央部设置有凹陷。在半导体装置中，抵接板的中央部不与层叠体相接，中央部的两侧对层叠体加压。通过在中央部的两侧对层叠体加压，压力向层叠体的端面的中央部的偏倚得到缓和。

公开(公告)号：CN105593963B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201480053835.1

申请日：2014-09-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司

IPC: H01H39/00

CPC classification number: H02H7/08 ,  G01R15/202 ,  G01R19/0092 ,  H01H39/006 ,  H01H2039/008 ,  H02H7/1225 ,  H02M1/088 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0009

Abstract: 本发明提供一种能够在对布局空间以及成本进行抑制的同时，对配线的过电流进行检测并使该配线断线的电流传感器等。具体而言，本发明的特征在于，在同一筐体(106u)内包括：电流检测部(101u、102u、103u)，其对在配线中流动的电流进行检测；断线机构(104u、105u)，其使所述配线断线；驱动电路，其对所述断线机构进行驱动，所述电流检测部中所包括的电流检测电路和所述驱动电路被配置在同一基板(103u)上。

公开(公告)号：CN105593963A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053835.1

申请日：2014-09-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司

IPC: H01H39/00

CPC classification number: H02H7/08 ,  G01R15/202 ,  G01R19/0092 ,  H01H39/006 ,  H01H2039/008 ,  H02H7/1225 ,  H02M1/088 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0009

Abstract: 本发明提供一种能够在对布局空间以及成本进行抑制的同时，对配线的过电流进行检测并使该配线断线的电流传感器等。具体而言，本发明的特征在于，在同一筐体(106u)内包括：电流检测部(101u、102u、103u)，其对在配线中流动的电流进行检测；断线机构(104u、105u)，其使所述配线断线；驱动电路，其对所述断线机构进行驱动，所述电流检测部中所包括的电流检测电路和所述驱动电路被配置在同一基板(103u)上。

公开(公告)号：CN100452428C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN1967869A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1591897A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重复区域(39)对向，上述重复区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。